1.一种电解电容器分数阶等效电路模型，其特征在于该等效电路模型包括：电容端子箔片接头电阻R0、电解液电阻R1、离子运动和离子扩散产生的电阻Rd、离子运动和离子扩散产生的分数阶电容Cd、终端电容Ct、介电损耗电阻R2、介电损耗电容C1；

电容端子箔片接头电阻R0另一端连接电解液电阻R1一端，电解液电阻R1另一端连接所述分数阶电容Cd一端，所述分数阶电容Cd另一端连接终端电容Ct一端，终端电容Ct另一端连接介电损耗电容C1一端；

所述分数阶电容Cd并联离子运动和离子扩散产生的电阻Rd，

所述介电损耗电容C1并联介电损耗电阻R2。

2.根据权利要求1所述一种电解电容器分数阶等效电路模型，其特征在于：所述等效电路模型阻抗表达式为：根据分数阶电路基本原理，jα＝cos(απ/2)+jsin(απ/2)，带入公式(1)，得：根据等效电路模型阻抗形式，电解电容ESR表达式为：

电解电容Ceq表达式为：

3.一种电解电容器分数阶等效电路模型参数辨识方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：等效电路模型包括电容端子箔片接头电阻R0、电解液电阻R1、离子运动和离子扩散产生的电阻Rd、离子运动和离子扩散产生的分数阶电容Cd、终端电容Ct、介电损耗电阻R2、介电损耗电容C1；

电容端子箔片接头电阻R0另一端连接电解液电阻R1一端，电解液电阻R1另一端连接所述分数阶电容Cd一端，所述分数阶电容Cd另一端连接终端电容Ct一端，终端电容Ct另一端连接介电损耗电容C1一端；

所述分数阶电容Cd并联离子运动和离子扩散产生的电阻Rd，引入分数阶α来修正非线性和扩散运动；所述介电损耗电容C1并联介电损耗电阻R2；

其中：α,R0、R1,Cd,Rd,C1,R2是待辨识的参数。

步骤2：基于差分进化算法的分数阶多目标离线参数辨识方法，进行参数辨识。

4.根据权利要求3所述一种电解电容器分数阶等效电路模型参数辨识方法，其特征在于步骤1包括以下步骤：步骤1.1：电解电容器等效电路模型中，电阻R2和电容C1并联部分，表示电容器介电损耗部分；电阻Rd和电容Cd并联部分，表示离子运动和离子扩散部分；这两部分和电容端子箔片接头电阻R0、电解液电阻R1、终端电容Ct即电解电容器的直接构造部分串联，共同构成了电解电容器的等效电路模型；

步骤1.2：根据电路串并联原理以及分数阶储能元件工作原理，等效电路模型阻抗表达式为：

5.根据权利要求3所述一种电解电容器分数阶等效电路模型参数辨识方法，其特征在于步骤2包括以下步骤：α

步骤2.1：由于j＝cos(απ/2)+jsin(απ/2)，因此根据等效电路阻抗表达式(1)，可得电解电容器等效串联电阻(equivalent series resistance,ESR)为：电解电容器等效串联电容(equivalent series capacitance,Ceq)为:步骤2.2：在100Hz～100kHz的频率范围内，测量获取电解电容器的阻抗值，并对数据进行预处理；

步骤2.3：等效串联电阻和等效串联电容器属于不同量纲，将ESR和Ceq的测量值和预测值进行归一化处理；

步骤2.4：引入权重因子λ1、λ2，其中，λ1、λ2在(0,1)范围内取值，利用ESR和Ceq的测量值和预测值构造多目标预测函数：步骤2.5：针对步骤1.1中模型待估计的参数个数，设置改进的差分进化算法的基本参数，群规模选取待识别向量维数的20倍，设置最大迭代次数为200，缩放因子为0.85，交叉概率为0.8，选取DE/rand-to-best/1变异策略和二项分布的交叉策略；为减少产生早熟现象的产生，当判断连续数代最佳向量没有任何进化，或者各个向量已过于近似时，即可实施灾变；当各个向量近似时，将相似向量缩放因子增大0.9；对目标函数(5)进行数据拟合，获得目标函数(5)最小情况下的一组模型参数α,R0、R1,Cd,Rd,C1,R2；

步骤2.6：将步骤2.5所得中模型参数α,R0、R1,Cd,Rd,C1,R2代入步骤2.1中所述表达式(2)和(3)，即可得非固态铝电解电容等效串联电阻值与等效电容值。