1.一种半导体芯片生产制备系统的冰粒平坦化制程结构，其特征在于：半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体；第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分；

冰粒平坦化制程结构部分中间为高压空气输入管路，两侧依次设置为冰珠冰粒输入管路，去离子水输入管路、选择性化学品输入管路，去离子水输入管路与冰珠冰粒输入管路之间设置有热绝缘管路，高压空气输入管路与两侧的冰珠冰粒输入管路之间设置有热绝缘管路，选择性化学品输入管路与去离子水输入管路相连通用于稀释化学品，去离子水输入管路与冰珠冰粒输入管路相连通与冰珠冰粒在冰粒与水雾混合区域混合后通过高压空气喷射嘴的喷出；

此制备系统可以与自动化控制系统连接实现自动化控制，冰粒平坦化制程工艺流程如下：a.选取制程程序后下载；

b.参水冰粒喷射嘴移出至硅片载盘上方任意制程程序决定之位置；

c.参水冰粒喷射嘴开始以低抛光率前后左右全硅片区域移动喷射参水冰粒来预抛铜表面；

d.参水冰粒喷射嘴开始混合制程程序决定之化学溶液而后以高抛光率喷射参水冰粒来加速抛光铜表面；

e.当目标铜抛光厚度达到后参水冰粒喷射嘴停止供应冰粒及化学溶液但持续以去离子纯水冲洗硅片铜表面至程序决定之时间，是否达到铜抛光厚度可用内建.外部量测机制；

f.参水冰粒喷射嘴停止喷水并退回停泊位置；

d.被处理的硅片旋干后退出此装置。