1.一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：半导体芯片生产制备装置由上至下设置有第一操作腔体、第二操作腔体、第三操作腔体；第三操作腔体内部由上至下依次安装设置有加热结构部分、冰粒平坦化制程结构部分、旋转蚀刻结构部分；加热结构部分设置有X方向左边结构、X方向右边结构和Y方向左边结构、Y方向右边结构两组，分别设置在硅片的四周且每组相对设置；

加热结构部分的X方向左边结构由上至下依次包括供电浆辅助化学气相沉积镀膜的电阻加热盘、底部抗反射层加热盘、非接触式热对流加热底部抗反射层，电阻加热盘和抗反射层加热盘之间增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率；

X方向右边结构由上至下依次包括供低压、有机金属化学气相沉积镀膜的电阻加热盘、光刻胶层加热盘、非接触式热对流加热光刻胶层，上下加热盘之间增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率；

加热结构部分的Y方向左边结构由上至下依次包括供变压器藕合电浆反应离子蚀刻使用的电阻加热盘、底部抗反射层加热盘、非接触式热对流加热底部抗反射层，上下加热盘之间增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率；

Y方向右边结构由上至下依次包括供内气流产生氧化、快速加热退火、快速加热氧化使用的的电阻加热盘、光刻胶层加热盘、非接触式热对流加热光刻胶层，上下加热盘之间增加热交换机制来节省电能及加快升温.降温速率。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：供电浆辅助化学气相沉积镀膜的电阻加热盘和供变压器藕合电浆反应离子蚀刻使用的电阻加热盘材料均是316不锈钢的静电吸附载盘；

供低压、有机金属化学气相沉积镀膜的电阻加热盘和供内气流产生氧化、快速加热退火、快速加热氧化使用的的电阻加热盘材料是石墨。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产制备系统的加热结构，其特征在于：加热结构部分通过射频电源及机械传动机构实现移动。