1.一种芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于包括低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂，所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、增韧剂、固化剂、潜伏性促进剂、硅烷偶联剂、导热填料及消泡剂的重量比为100：10‑50：20‑100：50‑200：

20‑50：5‑50：0.1‑1：50‑200：0.5‑3；所述低分子量的含氟聚苯酚结构的环氧树脂的结构式子如下图所示：

其合成方法为：将2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6‑二甲基苯酚丙烯酸酯及含环氧基单体溶于溶剂A中，再加入引发剂，在温度为40‑80℃下反应2‑5小时，通过纯化可得到一种含有氟化聚苯酚的环氧树脂，含有氟化聚苯酚的环氧树脂是低分子量低介电的无规共聚物；2，6二氟苯酚丙烯酸酯、2，6‑二甲基苯酚丙烯酸酯、含环氧基单体、溶剂A及引发剂的重量比为：

100：20‑50：20‑50：500‑2000：10‑20；

其中，R1为CH3或H，x为0‑50，y为1‑40，z为1‑40，n为2‑130。

2.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述2，6二氟苯酚丙烯酸酯的结构式子如下图所示，其合成方法是：将2，6二氟苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40‑80℃下反应2‑5小时，通过沉淀法纯化可得到2，6二氟苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200‑1000：20‑50；

。

3.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述2，6二甲基苯酚丙烯酸酯的结构式子如下图所示，其合成方法是：将2，6‑二甲基苯酚溶于溶剂B中，再加入带有双键的丙烯酰氯，在温度为40‑80℃下反应2‑5小时，通过沉淀法纯化可得到

2，6二甲基苯酚丙烯酸酯；2，6二氟苯酚、溶剂B和丙烯酰氯的重量比为100：200‑1000：20‑

50；

。

4.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述环氧树脂是双酚A类环氧树脂、双酚F环氧树脂、酚醛环氧树脂、脂环族环氧树脂、联苯环氧树脂、萘环结构环氧树脂、氢化型环氧树脂、有机硅环氧树脂中的一种或几种混合物，其分子量为1000‑30000之间，卤素含量200ppm以下，金属离子含量在5ppm以下。

5.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述含环氧基单体为甲基丙烯酸缩水甘油醚和丙烯酸缩水甘油醚；其特征在于所述引发剂为过氧化二异丁酰、过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化二碳酸双（3‑甲氧基丁酯）、过氧化二碳酸双（乙氧基己酯）、过氧化新癸酸特戊酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化二（2,4‑二氯苯甲酰）、过氧化‑2‑乙基已酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化苯甲酸特戊酯、过氧化乙酰丙酮、叔丁基过氧化氢、特戊基过氧化氢、叔丁基过氧化异丙苯、偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯中的一种或几种混合物。

6.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述固化剂为四氢苯酐、六氢苯酐、甲基丁二酸酐、辛烯基丁二酸酐、十二烯基丁二酸酐‍、甲基纳迪克酸酐、甲基四氢苯酐或甲基六氢苯酐中的一种或几种混合物。

7.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述潜伏性促进剂为十七烷基咪唑、2‑苯基‑4,5‑二羟基苯基咪唑、2‑苯基‑4‑甲基‑5‑羟基甲基咪唑、2‑苯基‑4‑苄基‑5‑羟基甲基咪唑、三苯基膦、乙酰丙酮铝、环烷酸钴、水杨酰肼中的一种或几种混合物。

8.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述稀释剂为丁基缩水甘油醚、苯基缩水甘油醚、苄基缩水甘油醚、十二烷基缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、1，6‑己二醇二缩水甘油醚、甲基丙烯酸缩水甘油酯、碳12‑

14烷基缩水甘油醚或1，2‑环己二醇二缩水甘油醚中的一种或几种混合物。

9.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述导热填料为球形氮化硅、球形氧化铝或球形二氧化硅及氮化硼的一种或几种混合物，其粒径为100‑1000nm之间。

10.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述的增韧剂为：丁二烯弹性体体系、有机硅改性体系或橡胶体系。

11.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述硅烷偶联剂双‑（γ‑三乙氧基硅基丙基）四硫化物、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷、γ‑（2，3‑环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ‑巯丙基三甲基硅烷、γ‑巯丙基三甲基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2‑甲氧基乙氧基) 硅烷、三异硬脂酸钛酸异丙酯、三异硬脂酸钛酸异丙酯复配物、异丙基二油酸酰氧基（二辛基磷酸酰氧基）钛酸酯、异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯、双（柠檬酸二乙酯）二丙氧基锆螯合物或有机锆酸酯偶联剂中的一种或几种混合物。

12.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述消泡剂为有机硅体系的消泡剂为德谦5400、德谦5500、德谦6800、德谦5300、BYK‑051、BYK‑

052、BYK‑053、BYK‑054、BYK‑056、BYK‑057、BYK‑065、BYK‑066N、BYK‑067A、BYK‑070、BYK‑

077、BYK‑085、BYK‑077、BYK‑088或BYK‑141中的一种或几种混合物。

13.根据权利要求1所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述溶剂A为环己酮、二氧六环、硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯、氯仿、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、氮甲基吡咯烷酮、甲乙酮、丙二醇单甲醚、二丁醚或二甲苯中的一种或几种混合物。

14.根据权利要求2所述的芯片封装专用低介电高导热底部填充胶，其特征在于所述溶剂B为四氢呋喃、环己酮、氯仿、二氧六环、乙酸乙酯或甲苯中的一种或几种混合物。