1.基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，将清洗烘干后的透明导电衬底放入PEVCVD中，利用硅烷、氢气、硼烷和磷烷气体，依次在透明导电衬底上沉积p型硅薄膜层(2)、本征硅薄膜层(3)和n型硅薄膜层(4)形成p/i/n结构，从而得到具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层的基底；

步骤2，利用水浴法沉积水合羟基氧化铁层；将基底浸入0.05‑0.1M硝酸铁和0.375‑

0.5M硝酸钠混合溶液中；在温度373‑393K下沉积0.25‑5h，在基底的具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层上，得到呈出纳米片结构的水合羟基氧化铁层；

步骤3，采用磁控溅射方法制备的产氢催化剂层，填补水合羟基氧化铁层的孔隙，得到基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极。

2.根据权利要求1所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极的制备方法，其特征在于，步骤1中，单节p/i/n结构的a‑Si薄膜层厚度为380～530nm；

利用硅烷、硼烷气体和氢气生成厚度为20‑40nm的p型硅薄膜层(2)；

利用硅烷和氢气生长厚度为300～400mm的本征层硅薄膜层(3)；

利用硅烷、磷烷气体和氢气，掺杂制备厚度60‑90nm的n型硅薄膜层(4)。

3.根据权利要求1所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极的制备方法，其特征在于，水合羟基氧化铁层的厚度为36～150nm。

4.根据权利要求1所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用磁控溅射方法制备的产氢催化剂金属颗粒镍形成产氢催化剂层，溅射压强控制在7.5Pa，功率200W，溅射时间3min，厚度为3～15nm。

5.根据权利要求1所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用双靶材共溅射制备PtNi、NiMo或NiFe合金在水合羟基氧化铁层表面生长，形成产氢催化剂层，厚度为3～15nm。

6.基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极，其特征在于，由权利要求1‑5任意一项所述的方法制备得到，其包括依次耦合的导电衬底、具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。

7.根据权利要求6所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极，其特征在于，所述的导电衬底采用透明导电玻璃、柔性不锈钢或者高分子膜。

8.根据权利要求6所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极，其特征在于，所述的具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层中，包括呈单节、双节或三节设置的p/i/n结构。

9.根据权利要求6所述的基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极，其特征在于，所述的产氢催化剂层采用Ni单一金属颗粒层，或者采用PtNi、NiMo和NiFe任意一种合金的合金层。