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专利号: 2020101435665
申请人: 金华职业技术学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种非晶合金材料综合性能检测方法,其特征在于,所述非晶合金材料综合性能检测方法包括,

步骤S1,采用交流电弧熔炼和高频感应结合的方法制备不同组分的母合金材料;

步骤S2,采用单辊快淬法,将不同组分的母合金材料制备成系列尺寸的非晶合金薄带;

步骤S3,将系列尺寸的非晶合金薄带用不同温度和应力进行退火处理;

步骤S4,非晶合金薄带进行磁性能检测;

步骤S5,非晶合金薄带进行微结构、力学性能检测;

步骤S6,非晶合金薄带进行多形相变、张应力检测;

步骤S7,综合统计分析测试结果,输出非晶合金材料综合性能指标;其中,步骤S4包括,步骤S41,用振动样品磁强计测量非晶合金薄带样品的磁滞回线,分析磁性能参数;

步骤S42,用阻抗仪测量系列样品的巨磁阻抗效应曲线;

步骤S43,将不同非晶合金薄带样品绕制成变压器,测量不同频率和磁化状态下的铁芯损耗;

其中,步骤S5包括,

步骤S51,用常规XRD和投射XRD技术测试非晶合金薄带样品的XRD谱,分析样品的微结构;

步骤S52,用AFM、SEM或TEM技术分析非晶合金薄带样品的表面和断口介观结构;

步骤S53,用MFM技术观测非晶合金薄带样品的表面和断口磁畴结构;

步骤S54,测试非晶合金薄带样品的力学性能;

其中,步骤S6包括,

步骤S61,用同步辐射技术原位动态表征纳米体系的结构,检测非晶合金薄带的多形相变过程及在张应力低退火过程中的结构因子S(Q)和径向分布函数g(r,r’);

步骤S62,应用反蒙特卡罗(RMC)模拟方法,拟合高精度的同步辐射XRD数据和EXAFS数据,建立非晶合金薄带多形相变结构模型;

步骤S63,利用模型计算张应力低温退火诱导非晶合金薄带多形相变映射关系;所述步骤S1中不同组分的母合金材料包括FeCuNbSiB、FeSiBPCu、FeCuB、FeCuSiB、FeCuNbSiB、FePC、FeSiB;

所述步骤S2中所述系列尺寸包括非晶合金薄带的宽度、厚度;

所述步骤S3中,退火处理包括退火温度、退火时间、退火张应力不同,所述退火张应力为100‑700MPa;

所述退火温度为300‑450℃;

所述非晶合金薄带包括Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金薄带、不同组分Fe83.3‑84.3Si4B8P3‑

4Cu0.7非晶合金薄带、不同组分高铁含量的FeCuB、FeCuSiB、FeCuNbSiB非晶合金薄带、不同组分FePC和FeSiB非晶合金薄带;

在步骤S7中,非晶合金材料综合性能指标V,对其A、B、C各性能指标进行加权,其中α、β、γ为权值,α+β+γ=1;

其中,将S4对非晶合金薄带磁性能检测,磁性能为A,xi为第i种磁性能指标,磁性能指标包括饱和磁化强度、磁导率、铁芯损耗;

A=[x1 x2 x3 … xn‑1 xn]其中,将S5对非晶合金薄带微结构与力学性能,其性能为B,yj为第j种力学性能指标,m种力学性能指标包括强度、硬度、微结构图像、韧性和耐磨性;

B=[y1 y2 y3 … ym‑1 ym]其中,将S6对非晶合金薄带退火相变指标参数反映出的性能,wk为第k种相变指标参数,取得的h种相变指标参数包括结构因子S(Q)、径向分布函数g(r,r’)、XRD数据、EXAFS数据;

C=[w1 w2 w3 ... wh‑1 wh]。