1.一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底10～20min，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；

(b)称量0.2M的CuSO4溶于20ml二次纯水中并加入1.6M的乳酸，再用KOH溶液调节使所配溶液的pH值为11.5～13.5；

(c)电化学工作站‑三电极体系进行电化学沉积，以ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极；

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(d)控制溶液温度为40℃，沉积电流为‑1～‑3mA/cm，沉积时间为5～15min；

(e)沉积薄膜用二次纯水洗净，自然晾干，得到厚度为0.3～1um的氧化亚铜薄膜；

(f)将上述制备好的氧化亚铜薄膜放入退火炉中，O2气氛下进行退火处理，控制退火温度为150～300℃，退火时间为0.5～1h，自然冷却至室温后取出。

2.如权利要求1所述的禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，将获得的氧化亚铜薄膜应用于太阳能电池，用于提高太阳能电池光吸收率。