1.一种同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，包括：

衬底(1)，所述衬底(1)的一侧(11)表面设有管脚(2)；

管帽(3)，所述管帽(3)位于所述衬底(1)的另一侧(12)，与所述衬底(1)的另一侧(12)表面固定连接，所述管帽(3)与所述衬底(1)形成容置空间；

透镜(4)，所述透镜(4)嵌设在所述管帽(3)远离所述衬底(1)的端面上，所述透镜(4)的一侧表面上设有抗反射结构(41)，所述抗反射结构(41)的形状为内中无孔的几何图形，所述抗反射结构(41)的几何中心位于所述透镜(4)的中轴线(42)上；

半导体激光器芯片组件(5)，所述半导体激光器芯片组件(5)位于所述容置空间内，所述半导体激光器芯片组件(5)与所述衬底(1)的另一侧(12)表面固定连接；

所述透镜(4)远离所述半导体激光器芯片组件(5)一侧的表面设有斜切面(45)，所述斜切面(45)与所述透镜(4)中轴线(42)的夹角(β)在75°‑85°之间，所述抗反射结构(41)为斜切面(45)；

所述斜切面(45)包括第一斜切面(451)和第二斜切面(452)，所述第一斜切面(451)与所述第二斜切面(452)关于所述透镜(4)的中轴线(42)对称。

2.根据权利要求1所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述抗反射结构(41)设置在所述透镜(4)远离所述半导体激光器芯片组件(5)一侧的表面上。

3.根据权利要求1所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述抗反射结构(41)设置在所述透镜(4)靠近所述半导体激光器芯片组件(5)一侧的表面上。

4.根据权利要求2所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述抗反射结构(41)为光学吸收涂层(43)。

5.根据权利要求4所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述光学吸收涂层(43)在沿着所述透镜(4)中轴线(42)方向上的正投影是圆形，所述圆形的直径(D)是所述半导体激光器芯片组件(5)出光表面口径(L)的2‑3倍。

6.根据权利要求2或3所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述抗反射结构(41)为所述透镜(4)中轴线(42)上的局部表面经过打磨形成的表面粗糙结构(44)。

7.根据权利要求6所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述表面粗糙结构(44)沿着所述透镜(4)中轴线(42)方向上的正投影是圆形，所述圆形的直径(H)大于或等于所述半导体激光器芯片组件(5)出光表面口径(L)。

8.根据权利要求1所述的同轴激光器TO‑CAN，其特征在于，所述斜切面(45)的表面设置有光学吸收涂层。