1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

一像素，耦接至一浮置扩散区域；

一复位选择晶体管，耦接于所述浮置扩散区域与一第一供应电压间；

一n型源跟随晶体管，耦接于所述第一供应电压与一第二供应电压间，所述n型源跟随晶体管用以接收来自所述浮置扩散区域的电信号；

一n型行选择晶体管，耦接于所述第一供应电压与所述n型源跟随晶体管间；

一第一取样保持电容器，耦接于一第三供应电压与所述第二供应电压间；

一第一开关，耦接于所述n型行选择晶体管与所述第一取样保持电容器间；以及一第二开关，耦接于所述第三供应电压与所述第一取样保持电容器间；

其中：

所述第一开关的控制是根据所述像素的入射光的光强度而定；或所述第一取样保持电容器的电容值为可调整的，且所述第一取样保持电容器的所述电容值是根据所述像素的入射光的光强度而定。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素包括一光电二极管与一传输晶体管，所述传输晶体管用以在所述光电二极管及所述浮置扩散区域间进行闸控。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素包括多个光电二极管以及多个传输晶体管，所述多个传输晶体管分别耦接于所述多个光电二极管及所述浮置扩散区域间，用以分别在所述多个光电二极管及所述浮置扩散区域间进行闸控。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述像素为包括两个光电二极管的二‑共用像素。

5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述像素为包括四个光电二极管的四‑共用像素。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述复位选择晶体管为一n型晶体管。

7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：一第二取样保持电容器，耦接于所述第三供应电压与所述第二供应电压间；

一第三开关，耦接于所述n型行选择晶体管与所述第二取样保持电容器间；以及一第四开关，耦接于所述第三供应电压与所述第二取样保持电容器间。

8.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一供应电压大于所述第二供应电压。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第二供应电压为一接地电压。

10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括耦接于所述浮置扩散区域的电容器。

11.如权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述电容器耦接于所述浮置扩散区域与所述第二供应电压间。

12.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一开关为一n型晶体管。

13.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二开关为一n型晶体管。

14.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第三开关为一n型晶体管。

15.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第四开关为一n型晶体管。

16.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一取样保持电容器的电容值与所述第二取样保持电容器的电容值相同。

17.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第二取样保持电容器的电容值是可调整的。

18.如权利要求17所述的图像传感器，其特征在于，所述第二取样保持电容器的所述电容值是根据所述像素的入射光的光强度而定。