1.一种纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将镁合金加热至完全熔化,然后将熔化的镁液冷却至半固态熔体;
步骤2,对步骤1所得半固态熔体进行搅拌,熔体液面产生涡流时,注入经过预热的纳米级SiC颗粒,继续搅拌,使纳米级SiC颗粒与半固态熔体充分混合得到混合熔体;
步骤3,对步骤2所得混合熔体再次加热至熔融态,并进行超声波震荡,超声波震荡结束后,将熔融态混合物在经过预热的模具中压铸得到纳米SiC颗粒增强镁基复合材料铸锭;
步骤4,对步骤3所得纳米SiC颗粒增强镁基复合材料铸锭进行均匀化处理之后,进行轧制,得到纳米SiC颗粒增强镁基复合板材;步骤1中,镁合金的熔化温度升高至720±5℃,半固态熔体温度为600 630℃,熔体的冷却速度为80℃/min;步骤3中,经过超声波震荡处理之~
后的混合熔体保温3‑5min;均匀化处理工艺的温度为400±10℃,时间为12h;步骤4中,对纳米SiC颗粒增强镁基复合材料轧制4道次,每道次轧制温度控制在350±10℃,每次压下量为
0.2cm,最后获得厚度为0.2cm的纳米SiC颗粒增强镁基复合板材;所得纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的固溶相为Mg17Al12相;步骤1所用镁合金采用纯度不低于99.98wt.%Mg、纯度不低于99.96wt.%的Al和纯度不低于99.95wt.%的Zn配制而成的Mg‑2.7Al‑0.8Zn镁合金或AZ31B镁合金铸锭;纳米级SiC颗粒平均粒径为20 100nm。
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2.根据权利要求1所述的纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的制备方法,其特征在于,步骤2中,熔体液面产生的涡流深度为2‑3cm,搅拌速度为1500rpm,搅拌10‑15min。
3.根据权利要求1所述的纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的制备方法,其特征在于,步骤2中所用纳米SiC颗粒的预热温度为660±10℃。
4.根据权利要求1所述的纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的制备方法,其特征在于,步骤3所述超声波的功率为450W ,频率50Hz,震荡前对超声波工具预热至680±10℃,超声波处理20‑25min。
5.根据权利要求1所述的纳米SiC颗粒增强镁基复合板材的制备方法,其特征在于,步骤3中,模具的预热温度为450±10℃,压铸时的压力为100MPa。