1.避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构，由下至上依次包括基底(1)、下绝缘层(2)、上绝缘层(3)；其特征在于：所述的下绝缘层(2)附着在基底(1)上，下绝缘层(2)上布置有测温线圈(4)、加热线圈(5)、VECSEL供电正电极引脚(6)、VECSEL供电负电极引脚(7)；上绝缘层(3)覆盖测温线圈(4)和加热线圈(5)，上绝缘层(3)中心布置有VECSEL供电负电极(8)；

所述的测温线圈(4)为具有开口的圆环形，测温线圈(4)的两端分别延伸至测温线圈正极引脚(401)和测温线圈负极引脚(402)；

所述的加热线圈(5)为双涡旋曲线形，两条同心的涡旋曲线交错设置，两条涡旋曲线的一端相接于涡旋中心，另一端分别延伸至加热线圈正极引脚(501)和加热线圈负极引脚(502)；

所述的测温线圈(4)与加热线圈(5)同心设置，且加热线圈(5)位于测温线圈(4)内；

所述的VECSEL供电正电极引脚(6)、VECSEL供电负电极引脚(7)、测温线圈正极引脚(401)、加热线圈正极引脚(501)、加热线圈负极引脚(502)、测温线圈负极引脚(402)并排布置在下绝缘层(2)上的边缘位置；

所述的上绝缘层(3)覆盖测温线圈(4)和加热线圈(5)上，VECSEL供电负电极(8)设置在上绝缘层(3)上的中心位置，并与VECSEL供电负电极引脚(7)相接。

2.如权利要求1所述的避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构，其特征在于：所述的测温线圈(4)的圈数为1～5圈，其断面宽度为0.1～10微米、厚度为0.1～10微米。

3.如权利要求1所述的避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构，其特征在于：所述的加热线圈(5)断面的宽度为0.1～10微米，厚度为0.1～10微米；相互交错的两条涡旋曲线间距为0.1～10微米，单条涡旋曲线的圈数为2～100圈。

4.如权利要求1所述的避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构，其特征在于：所述的基底(1)为硅片或玻璃片，厚度为500～1000微米。

5.如权利要求1所述的避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构，其特征在于：所述的下绝缘层(2)和上绝缘层(3)的厚度为100～1000纳米。

6.如权利要求1所述的避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构的加工方法，其特征在于，该方法具体步骤是：步骤(1).选取厚度为500～1000微米的硅片或玻璃片作为基底(1)，基底(1)上沉积厚度为100～1000纳米的绝缘材料，作为下绝缘层(2)；

步骤(2).采用金属沉积和光刻刻蚀方法，按照设计置图案在下绝缘层(2)上加工出测温线圈(4)及测温线圈正极引脚(401)和测温线圈负极引脚(402)、加热线圈(5)及加热线圈正极引脚(501)和加热线圈负极引脚(502)、VECSEL供电正电极引脚(6)；

步骤(3).在测温线圈(4)和加热线圈(5)上沉积厚度为100～1000纳米的绝缘材料，作为上绝缘层(3)，上绝缘层(3)覆盖测温线圈(4)和加热线圈(5)，但不覆盖各个引脚；

步骤(4).采用金属沉积和光刻刻蚀方法，同时在下绝缘层(2)上加工出VECSEL供电负电极引脚(7)、在绝缘层(3)上的中心位置加工出VECSEL供电负电极(8)、以及连接VECSEL供电负电极(8)和VECSEL供电负电极引脚(7)的引线。