1.一种金、铂共沉积的AuPt纳米花结构，其特征在于，通过下述步骤制得：用电沉积的方法在制备AuPt纳米花结构：分别配制等浓度的氯金酸和氯铂酸的硫酸溶液，等体积混合后，用三电极体系，导电玻璃作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片电极作为辅助电极，用-0.6V到-0.1V的电压，沉积300s 1200s，即可在导电玻璃表面长出金铂~纳米花结构。

2.根据权利要求1所述的AuPt纳米花结构，其特征在于，氯金酸或氯铂酸的硫酸溶液配制过程如下：将氯金酸或氯铂酸溶于0.5M的硫酸中配制成1mg/mL 10mg/mL的溶液。

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3. 根据权利要求1所述的AuPt纳米花结构，其特征在于，所述AuPt纳米花结构的整体尺寸大小为80-800 nm；且纳米花表面金铂均匀分布。

4.一种利用权利要求1至3任一所述的AuPt纳米花结构制备检测阿尔茨海默症标志物的电化学适配体传感器的方法，其特征在于，制备步骤如下：（1）ITO的清洗：将ITO玻璃切割成合适尺寸，然后清洗干净，最后用氮气吹干备用；

（2）将沉积有氯金酸和氯铂酸的导电玻璃，用超纯水冲洗后，晾干；

（3）将步骤（2）所得的导电玻璃浸泡在正十二烷基硫醇里20 30小时；

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（4）然后用光掩膜板，覆盖步骤（3）处理后的ITO电极，然后用等离子体清洗仪进行O2 等离子体刻蚀，得到超亲水微井；

（5）在步骤（4）得到的ITO电极表面的超亲水微井里滴加带巯基的Aβ寡聚体适配体，反应完成后，用磷酸缓冲液冲洗后，晾干；

（6）滴加巯基己醇溶液封闭，孕育，然后用磷酸缓冲液冲洗电极表面，晾干；

（7）滴加一定浓度的Aβ寡聚体溶液，孕育，用磷酸缓冲液冲洗电极表面，晾干，制得一种检测阿尔茨海默症标志物的电化学适配体传感器；所述带巯基的Aβ寡聚体适配体的DNA序列为5’-SH-(CH2)6-GCCTGTGGTGTTGGGGCGGGTGCG-3’。

5. 根据权利要求4所述制备检测阿尔茨海默症标志物的电化学适配体传感器的方法，其特征在于，所述步骤（4）中光掩膜板的孔径尺寸为2mm；所述步骤（5）中适配体的浓度为10 μM，用量为10μL，所述步骤（6）中巯基己醇溶液浓度为1mM 、用量为10μL；所述步骤（7）疾病标志物Aβ寡聚体溶液的用量为5μL，Aβ寡聚体溶液的浓度为0.05 pg/mL-10 ng/mL。

6. 根据权利要求4所述制备检测阿尔茨海默症标志物的电化学适配体传感器的方法，其特征在于，所述O2 进行等离子体刻蚀时，O2流速为80mL/min，氧压101325Pa，刻蚀温度为室温，等离子体清洗机的功率为100W，处理时间60s。

7.根据权利要求4所述制备检测阿尔茨海默症标志物的电化学适配体传感器的方法，其特征在于，所述步骤（5）中反应是指37℃恒温保持1h，所述孕育或孵化是指在37℃恒温保持1h，所述晾干是在4℃冰箱中进行。

8.权利要求4所述的制备方法制得的电化学适配体传感器。

9.权利要求8所述的电化学适配体传感器在检测阿尔茨海默症标志物中的应用，其特征在于，步骤如下：（1）使用电化学工作站以三电极体系进行测试，Ag/AgCl电极为参比电极，铂片电极为辅助电极，所制备的传感器为工作电极，在20 mL、10 mM的pH为6.0-7.8的磷酸缓冲液中进行测试；

（2）用方波伏安法检测系列Aβ寡聚体标准品浓度，输入电压范围为0.0-0.4V，记录峰电流的变化；

（3）以lgC为横坐标、ΔI为纵坐标，绘制标准曲线，得到标准曲线方程ΔI= 12.008 LgC +153.13，C为Aβ寡聚体的浓度，ΔI为峰电流的差值；

（4）根据步骤（1）、步骤（2）测试待测样品峰电流的变化代入标准曲线方程中即可得到Aβ寡聚体的浓度，其中用方波伏安法检测不同Aβ寡聚体浓度时，输入电压范围为0.0-0.4V。