1.一种可变电阻，包括发光部、光通量控制部、光敏电阻部和控制电路，其特征在于：所述发光部包括发光元件(7)及其接口(1,2)；所述光通量控制部包括一液晶光阀(8)及其接口(3,4)；所述光敏电阻部包括一光敏电阻器(9)及其接口(5,6)；所述控制电路包括一反向放大电路，所述反向放大电路包括两个电阻R1与R2和一运算放大器(10)，运算放大器(10)外接电源，运算放大器(10)的反相输入端和输出端跨接电阻R2，发光元件(7)的接口(2)电连接至运算放大器(10)的输出端，发光元件(7)的电源接口(1)接地，液晶光阀(8)的接口(3)通过电阻R1电连接至运算放大器(10)的反相输入端，液晶光阀(8)的接口(4)接地。

2.根据权利要求1中所述的可变电阻，其特征在于，所述发光部与光敏电阻部分居光通量控制部的两侧，所述发光部、光敏电阻部和光通量控制部由外壳同轴向封装。

3.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于，发光元件(7)的波长与光敏电阻器(9)的工作峰值波长误差控制为±10nm。

4.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于，所述反向放大电路放大系数为-R2/R1。

5.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于，所述光敏电阻的亮电阻值小于1KΩ。

6.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于，所述光敏电阻用硫化镉材料制成。

7.根据权利要求6所述的可变电阻，其特征在于，所述光敏电阻峰值工作波长为520nm。

8.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于，所述光敏电阻用硒化镉材料制成。

9.根据权利要求8所述的可变电阻，其特征在于，所述光敏电阻峰值工作波长为720nm。