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专利号: 2019111956543
申请人: 华士德科技(深圳)有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种输入电压拓宽电路,其特征在于其包括分压单元、光电耦合开关单元、比较器控制单元和输出电压切换开关单元,外部电源与分压单元的输入端相连接,所述分压单元、光电耦合开关单元、比较器控制单元和输出电压切换开关单元依次连接,所述输出电压切换开关单元用于控制外部高电压输入端和外部低电压输入端之间的切换;

所述分压单元包括复数个分压电阻和保护电阻,所述复数个分压电阻依次串联,分压电阻的输入端与外部电源相连接,分压电阻的输出端与光电耦合开关单元相连接,所述保护电阻的输入端与分压电阻的输出端相连接,所保护电阻的输出端接地;

所述光电耦合开关单元包括可控稳压器和光电耦合器,所述光电耦合器的输入端与可控稳压器的阴极相连接,所述可控稳压器参考极与分压电阻的输出端相连接,所述可控稳压器的阳极与保护电阻和接地端的公共端相连接,所述光电耦合器的输出端与比较器控制单元相连接;

所述比较器控制单元包括第一三极管、MOS管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻;所述第一电阻的一端与外部

12V电压端相连接,所述第一电阻的另一端与光电耦合器的其中一个输出端相连接,所述光电耦合器的另一输出端与第一三极管的发射极相连接,所述第一三极管的基极与第一电阻和光电耦合器的公共端相连接,所述第一三极管的集电极与第二电阻的一端相连接,所述第二电阻的另一端与第三电阻的一端相连接,所述第三电阻的另一端与第一电阻和外部

12V电压端的公共端相连接,所述MOS管的栅极与第二电阻和第三电阻的公共端相连接,所述第四电阻的一端与第三电阻和MOS管的公共端相连接,所述第四电阻的另一端与第一三极管的发射极相连接,所述MOS管的源极与第四电阻和第一三极管的公共端相连接,所述MOS管的漏极与第五电阻的一端相连接,所述第五电阻的另一端与外部12V电压端相连接,所述第二三极管的基极与第五电阻和MOS管的公共端相连接,所述第二三极管的发射极与MOS管和第四电阻的公共端相连接,所述第二三极管的集电极与第六电阻的一端相连接,所述第六电阻的另一端与外部12V电压端相连接,所述第七电阻的一端与第六电阻和第二三极管的公共端相连接,所述第七电阻的另一端与第八电阻相连接,所述第八电阻的另一端与输出电压切换开关单元相连接,所述第二三极管的发射极与第七电阻和第八电阻的公共端相连接。

2.如权利要求1所述的一种输入电压拓宽电路,其特征在于所述分压单元还包括滤波电容,所述滤波电容的输入端与分压电阻和保护电阻的公共端相连接,所述滤波电容的输出端与保护电阻和接地端的公共端相连接。

3.如权利要求1所述的一种输入电压拓宽电路,其特征在于所述比较器控制单元还包括第一电容、第二电容、第三电容和稳压二极管,所述第一电容的一端与光电耦合器和第一电阻的公共端相连接,所述第一电容的另一端与光电耦合器和第一三极管的发射极的公共端相连接,所述第二电容的一端与第二电阻和第四电阻的公共端相连接,所述第二电容的另一端与第四电阻和第一三极管的公共端相连接,所述第三电容的一端与第二三极管的发射极相连接,所述第三电容的另一端与第七电阻和第八电阻的公共端相连接,所述稳压二极管的一端与第三电容和第二三极管的公共端相连接,所述稳压二极管的另一端与第三电容和第八电阻的公共端相连接。

4.如权利要求1所述的一种输入电压拓宽电路,其特征在于所述输出电压切换开关单元包括继电器开关,所述继电器开关的电磁铁的一端接地,电磁铁的另一端与比较器控制单元相连接,所述继电器开关的衔铁输出端设置有引出端,所述继电器的高电压端与外部高电压输入端相连接,所述继电器的低电压端与外部低电压输入端相连接。