1.一种宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，包括：输入模块、整流滤波模块、比较模块、驱动模块、升压模块、变换器模块、输出模块和反馈模块；

所述输入模块用于输入交流电源；

所述整流滤波模块与所述输入模块相连接，所述整流滤波模块用于对所述输入模块输出的交流电源进行整流和滤波处理；

所述比较模块与所述整流滤波模块想相连接，所述比较模块用于对所述整流滤波模块输出的电压与高压预设值进行比较；

所述驱动模块与所述比较模块相连接，所述升压模块和所述变换器模块均与所述驱动模块相连接，所述变换器模块与所述升压模块相连接，所述驱动模块用于驱动所述升压模块和所述变换器模块进行工作；

所述输出模块与所述变换器模块相连接，所述反馈模块与所述输出模块和所述变换器模块相连接，所述反馈模块用于将所述输出模块获取的电压反馈至所述变换器模块。

2.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述整流滤波模块包括EMI滤波器电路和整流电路，所述EMI滤波器电路和所述整流电路相连接，所述EMI滤波器电路包括第一电容C1、第一电感L1和第二电容C2，所述第一电容C1的第一端和所述第一电感L1的第一端均与所述输入模块的输出端正极相连接，所述第一电容C1的第二端接至地，所述第二电容C2的第一端与所述第一电感L1的第二端相连接，所述第二电容C2的第二端接至地；所述整流电路包括整流桥B和第三电容C3，所述整流桥B的第一端与所述第二电容C2的第一端相连接，所述整流桥B的第二端与所述第二电容C2的第二端相连接，所述第三电容C3的第一端与所述整流桥B的第三端相连接，所述第三电容C3的第二端与所述整流桥B的第四端相连接并接至地。

3.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述比较模块采用迟滞比较器来比较所述整流滤波模块输出的电压和高压预设值。

4.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述驱动模块采用继电器驱动所述升压模块和所述变换器模块进行工作。

5.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述升压模块包括升压输入电路和升压芯片，所述升压输入电路包括NMOS晶体管N和第四电容C4，所述NMOS晶体管N的漏极与所述驱动模块的输出端相连接，所述第四电容C4的第一端与所述NMOS晶体管N的源极相连接，所述NMOS晶体管N的栅极和所述第四电容C4的第二端均接至地；所述升压芯片的输入端与所述第四电容C4的第一端相连接。

6.根据权利要求5所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述升压模块还包括升压输出电路，所述升压输出电路包括第五电容C5、三极管Q、第一二极管D1、第六电容C6、第一电阻R1、第七电容C7、第二电阻R2和第二二极管D2，所述第五电容C5的第一端与所述升压芯片的输出端相连接，所述三极管Q的基极与所述第五电容C5的第二端相连接，所述三极管Q的发射极接至地，所述第一二极管D1的阳极与所述三极管Q的集电极相连接，所述第六电容C6的第一端与所述第一二极管D1的阴极相连接，所述第六电容C6的第二端接至地，所述第一电阻R1的第一端与所述第六电容C6的第一端相连接，所述第一电阻R1的第二端接至地，所述第七电容C7的第一端与所述第一电阻R1的第一端相连接，所述第七电容C7的第二端接至地，所述第二电阻R2的第一端与所述第七电容C7的第一端相连接，所述第二二极管D2的阳极与所述第二电阻R2的第二端相连接，所述第二二极管D2的阴极接至地。

7.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述变换器模块用于将所述整流滤波模块输出的电压和所述升压模块输出的电压转换为所需电压，所述变换器模块采用全桥式变电路变压器。

8.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的高压电源，其特征在于，所述反馈模块包括光电耦合器、可调稳压器和具有多个反馈电阻的反馈电阻电路，所述光电耦合器与所述可调稳压器相连接，所述光电耦合器和所述可调稳压器均与所述反馈电阻电路相连接。