1.一种具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，包括：硅光波导区；

第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧，并与所述硅光波导区连接；

P型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间，并与所述第一N型重掺杂硅区及所述第三N型重掺杂硅区连接；

第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；

第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；

第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。

2.根据权利要求1所述的具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，所述硅光波导区为本征硅区。

3.根据权利要求1所述的具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，所述第一N型重掺杂硅区的掺杂浓度高于所述P型重掺杂硅区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，相较于所述第一N型重掺杂硅区，所述P型重掺杂硅区的厚度更薄。

5.根据权利要求1所述的具有电流放大作用的硅光电探测器，其特征在于，在工作时，在第一金属电极施加的电压高于在第二金属电极施加的电压，在第三金属电极施加的电压高于在第一金属电极施加的电压，使得第三N型重掺杂硅区和P型重掺杂硅区之间PN结反偏，P型重掺杂硅区与第一N型重掺杂硅区之间PN结在有光入射的情况下正偏。