1.一种超级电容器电极增强方法，采用超级电容器电极结构，所述超级电容器电极结构包括电容器电极材料（2）和电容器增强层（1），其特征在于所述方法包括以下步骤：S1：给电容器增强层（1）和电容器电极材料（2）施加电压，进行恒电流充电，使用时再进行放电处理，在电容器增强层（1）与电容器电极材料（2）之间形成PN结，电容器增强层（1）具有压电效应；

S2：充放电的同时，对电容器增强层（1）和电容器电极材料（2）施加应力，使其变形。

2.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述的电容器增强层（1）为N型半导体且具有压电特性，所述电容器电极材料（2）为P型半导体且具有多价态；所述的电容器增强层（1）的材料为ZnO、GaN或其掺杂物，所述电容器电极材料（2）为金属氧化物、金属氢氧化物、导电聚合物的任意一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述的电容器增强层（1）单独作为导电基底，或者所述超级电容器电极结构设有非电容器增强层导电基底（12），所述增强层（1）完整覆盖在非电容器增强层导电基底（12）上，所述非电容器增强层导电基底（12）与电容器电极材料（2）无连接；电容器电极材料（2）完整覆盖所述的电容器增强层（1）。

4.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，所述电容器电极材料（2）与所述的电容器增强层（1）界面是连续或者不连续，其界面为二维薄膜结构、三维形状结构的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述电容器增强层（1）为第一电容器增强层（3），包括底层（6）和凸起部（5），电容器电极材料（2）为第一电容器电极材料（4），并覆盖在底层（6）和凸起部（5）的表面，且第一电容器电极材料（4）的表面为完整的平面。

6.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述电容器增强层（1）为第一电容器增强层（3），包括底层（6）和凸起部（5），电容器电极材料（2）为第二电容器电极材料（7），覆盖在底层（6）和凸起部（5）的表面，凸起部（5）覆盖第二电容器电极材料（7）后存在间隙（8）。

7.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述电容器增强层（1）为第一电容器增强层（3），包括底层（6）和凸起部（5），电容器电极材料（2）为第三电容器电极材料（9），覆盖在凸起部（5）的顶部。

8.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述的电容器增强层（1）为第二电容器增强层（10），形状为圆柱体，电容器电极材料（2）为第四电容器电极材料（11），覆盖在第二电容器增强层（10）的圆周表面。

9.根据权利要求1所述的一种超级电容器电极增强方法，其特征在于所述充电电压在

0‑0.5V，电流大小范围为0.9A/g ‑1.1A/g；形变量为0.1%‑15%，所述的应力为压缩应力或拉伸应力或两者的结合。