1.一种3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、将铝制件清洗后放入真空室内加热烘干，随后向真空室内通入氩气使其内真空度达到(5.0-8.0)*10-1Pa，对铝制件进行离子清洗；

步骤2、离子清洗后，关闭氩气、辅助偏压，调整真空室的真空度至(1.0-3.0)*10-3Pa；

再次向真空室内通入氩气使真空度维持在10-1Pa数量级的动态平衡压强；

采用真空平面磁控溅射镀膜工艺，溅射电源采用中频电源，依次为铝制件镀上Cr基层镀层、CrN第一过渡层、CrSiN第二过渡层和Cr第三过渡层；

完成铝制件表面处理，此时铝制件的颜色为银色；

步骤3、随后换真空室，采用中频电源作为溅射电源，以多弧离子镀或者真空平面磁控溅射镀的方式，为铝制件镀上颜色层。

2.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤1中-3

铝制件清洗后的烘干条件为：真空度为(3.0-6.0)*10 Pa，加热温度为100-200℃，加热时间为30-60min；离子清洗的条件为：辅助偏压电压为200-600V，离子清洗时间为20-60min。

3.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤2中基层镀膜Cr镀膜过程中，铬靶靶电流为20-40A，靶电压为300-600V，镀膜时间为10-30min，辅助偏压电压为50-100V，真空室温度为100-150℃。

4.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤2中第一过渡层CrN层数为1-4层，单层的时间控制在10-30min，铬靶靶电流为20-40A，靶电压为

300-600V，辅助偏压电压为10-100V，真空室温度为100-150℃。

5.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤2中第二过渡层CrSiN层数为1-3层，单层的时间控制在10-30min，铬靶靶电流为20-40A，靶电压为300-600V，硅靶靶电流为10-30A，靶电压为300-600V，辅助偏压电压为10-100V，真空室温度为100-150℃。

6.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤2中第三镀层Cr层时间为15-35min，铬靶靶电流为20-40A，靶电压为300-600V，辅助偏压电压为

10-100V，真空室温度为100-150℃。

7.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤3中以TiC黑色镀层将铝制件镀成黑色，TiC层数为10-30层，单层时间控制在5-10min；其中钛靶靶电流为20-40A，靶电压为300-600V，辅助偏压电压为10-100V，碳氢气体流量为20-

200SCCM。

8.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤3中以TiN颜色镀层将铝制件镀成金色，TiN层数控制在5-20层，单层时间控制在5-10min；其中钛靶靶电流20-40A，靶电压为300-600V，辅助偏压电压为10-100V，氮气流量为10-100SCCM。

9.根据权利要求1所述的3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，其特征在于，步骤3中采用硅靶+钛(或锆或铌)靶为铝制件镀上其他颜色镀层，硅靶+钛(或锆或铌)靶层数控制在

5-20层，单层时间控制在5-30min；预先向真空室内通入氧气，氧气量为20-200SCCM，控制硅靶和钛(或锆或铌)靶的靶电流15-40A，辅助偏压电压为0-20V。