1.一种基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，包括：硅衬底(4)，设置于所述硅衬底(4)上第一石墨烯纳米条(1)、可与所述第一石墨烯纳米条(1)直接耦合的若干第二石墨烯纳米条(2)以及可与所述第一石墨烯纳米条(1)间接耦合的若干第三石墨烯纳米条(3)，各所述第二石墨烯纳米条(2)分别与所述第一石墨烯纳米条(1)平行设置，各所述第二石墨烯纳米条(2)之间可分别发生直接耦合；各所述第三石墨烯纳米条(3)与所述第一石墨烯纳米条(1)垂直设置，各所述第三石墨烯纳米条(3)之间以及各所述第三石墨烯纳米条(3)与各所述第二石墨烯纳米条(2)之间可分别发生直接耦合。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，所述第一石墨烯纳米条(1)、各所述第二石墨烯纳米条(2)以及各所述第三石墨烯纳米条(3)均由单层石墨烯组成，所述第一石墨烯纳米条(1)、各所述第二石墨烯纳米条(2)以及各所述第三石墨烯纳米条(3)的化学势分别为0.30～0.31eV。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，各所述第二石墨烯纳米条(2)以及各所述第三石墨烯纳米条(3)分别设置于所述第一石墨烯纳米条(1)的同侧，各所述第二石墨烯纳米条(2)相邻边之间的距离为8～12nm，各所述第三石墨烯纳米条(3)相邻边之间的距离为6～10nm，所述第一石墨烯纳米条(1)与相邻的所述第二石墨烯纳米条(2)相邻边之间的距离为8～12nm，耦合长度为8～12nm，所述第一石墨烯纳米条(1)与相邻的所述第三石墨烯纳米条(3)相邻边之间的距离为8～12nm，相邻的所述第二石墨烯纳米条(2)与所述第三石墨烯纳米条(3)相邻边之间的距离为8～12nm，各所述第三石墨烯纳米条(3)与各所述第二石墨烯纳米条(2)之间的耦合长度分别为8～12nm。

4.根据权利要求1-3任一所述的基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，所述第二石墨烯纳米条(2)以及所述第三石墨烯纳米条(3)分别为2个，所述第一石墨烯纳米条(1)的长度为60～70nm，宽度为15～25nm，各所述第二石墨烯纳米条(2)的长度分别为45～50nm，宽度分别为8～12nm，各所述第三石墨烯纳米条(3)的长度分别为45～50nm，宽度分别为8～14nm。

5.根据权利要求4所述的基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，所述第一石墨烯纳米条(1)的长度和宽度分别为64nm和20nm，各所述第二石墨烯纳米条(2)的长度和宽度分别为48nm和10nm，各所述第二石墨烯纳米条(2)相邻边之间的距离为10nm，耦合长度为48nm，各所述第三石墨烯纳米条(3)的长度和宽度分别为48nm和12nm，各所述第三石墨烯纳米条(3)相邻边之间的距离为8nm，耦合长度为48nm，所述第一石墨烯纳米条与相邻的所述第二石墨烯纳米条相邻边之间的距离为10nm，耦合长度为10nm，相邻的所述第二石墨烯纳米条(2)与所述第三石墨烯纳米条(3)相邻边之间的距离为8nm，耦合长度为10nm。

6.根据权利要求1所述的基于石墨烯纳米条超材料结构的慢光器件，其特征在于，所述SiO2衬底(4)的厚度为280～320nm。