1.一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，沉积薄膜，提供两块金属基底，在所述金属基底的焊接面上沉积有Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1 10at.%；

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步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构；

步骤三，超声刻蚀处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行超声刻蚀处理，除去未反应的纯Sn钎料，在金属基底上得到Co‑P/CoSn3结构；

步骤四，回流焊，将刻蚀后的Co‑P/CoSn3结构用SnAg锡膏连接，并进行回流焊，得到具有Co‑P/SnAg/Co‑P微互连结构的微焊点。

2.根据权利要求1所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤一中金属基底的焊接面上通过超声辅助电沉积、化学镀、蒸镀或溅射得到Co‑P纳米晶薄膜，Co‑P纳米晶薄膜的厚度通过沉积时间进行控制，P的原子百分比通过沉积原料或镀液成分控制。

3.根据权利要求1或2所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于，所述步骤二中浸焊的工艺参数为：焊接温度为235 330℃，焊接时间为10 90s，冷却方式为空冷~ ~

或风冷。

4.根据权利要求1或2所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤三中超声刻蚀处理所用刻蚀溶液为混合溶液，其中溶质为盐酸、硝酸或二者的混合物，溶剂为甲醇、乙醇或去离子水的一种。

5.根据权利要求1或2所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤四的SnAg锡膏中Ag的含量为0.3 3.5wt.%。

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6.根据权利要求1或2所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤四中回流焊时间为4 6min，回流焊最高温度不超过330℃。

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7.根据权利要求1或2所述的抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法，其特征在于：所述金属基底的材质为Cu、Ni、Co、Ag和Au中的一种。