1.一种单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，包括透明基底层，所述透明基底层上设置有底部电极层，所述底部电极层上设置有n型半导体层，所述n型半导体层上设置有单晶氧化亚铜层，所述单晶氧化亚铜层的上表面为完全暴露{100}晶面的纳米立方体，所述单晶氧化亚铜层的{100}晶面表面设置有p型半导体层，所述p型半导体层上设置有顶部电极层，所述的单晶氧化亚铜层为定向生长所得，其与n型半导体层接触部分为{111}晶面，且与p型半导体层接触部分为{100}晶面。

2.根据权利要求1所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，所述透明基底层由为玻璃、石英或塑料薄膜材料制成。

3.根据权利要求1所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，所述底部电极层为透明导电层。

4.根据权利要求3所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，所述透明导电层为ITO层或FTO层。

5.根据权利要求1所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，所述顶部电极层由导体材料制成。

6.根据权利要求5所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机，其特征在于，所述导体材料为金属或导电类有机物、无机物。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：透明基底的清洗与底部电极层的制备：透明基底清洗吹干，利用磁控溅射法生长底部电极层；

步骤二：n型半导体层的制备：采用旋涂法、刮涂法、浸渍提拉法、物理气相沉积法、化学气相沉积法生长n型半导体；

步骤三：单晶氧化亚铜的制备：利用电沉积法生长氧化亚铜单晶薄膜；

步骤四：p型半导体层的制备：采用旋涂法、刮涂法、浸渍提拉法、物理气相沉积法、化学气相沉积法生长p型半导体；

步骤五：顶部电极层的制备：采用物理气相沉积法、匀胶法、刮涂法，在氧化亚铜{100}晶面上覆盖一层导体层。