1.一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）将经表面处理后的Si片用涂胶机甩干后，放入磁控溅射系统中，待溅射室本底真空‑4度小于1×10  Pa时，向溅射室内充入纯度为5N的Ar气体，使溅射室内压强为0.4 Pa；

2）室温下，在Si片表面溅射一层a‑Si薄膜；

3）调节Ar气流量，使溅射室内压强为0.5 Pa，继续在a‑Si薄膜上溅射一层a‑Ge薄膜；

4）将步骤3）溅射完a‑Ge薄膜的Si片取出，对a‑Ge薄膜进行手动化学机械抛光；

5）将步骤4）抛光后的Si片采用丙酮、乙醇和去离子水分别依次超声清洗10 15 min，去~离子水冲洗10 15次，去除a‑Ge薄膜表面吸附的颗粒物；

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6）将步骤5）清洗完的Si片与经表面处理的Ge片分别用体积比为1:20的HF/H2O溶液浸泡

2 4 min，去离子水冲洗10 15次；

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7）将步骤6）处理完的Ge片和Si片采用涂胶机甩干后，将Ge片与Si片具a‑Ge薄膜的一侧贴合在一起；

8）将步骤7）获得的Ge/Si贴合片放入退火炉中，于300℃低温热退火20 h，以实现Ge/Si的高强度键合。

2.根据权利要求1所述的一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其特征在于：步骤1）中Si片的表面处理方法步骤为：a）将Si片用丙酮、乙醇和去离子水分别依次超声清洗10 15 min，以去除基底表面吸附~的颗粒物和有机物；

b）将步骤a）清洗完的Si片先用体积比为4:1的H2SO4/H2O2溶液煮沸10~15 min，去离子水冲洗10~15次，再用体积比为1:20的HF/H2O溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10~15次；

c）将步骤b）处理完的Si片先用体积比为1:1:4的NH4OH/H2O2/H2O溶液煮沸10~15 min，去离子水冲洗10~15次，再用体积比为1:20的HF/H2O溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10~15次；

d）将步骤c）处理完的Si片先用体积比为1:1:4的HCl/H2O2/H2O溶液煮沸10~15 min，去离子水冲洗10~15次，再用体积比为1:20的HF/H2O溶液浸泡2~4 min，去离子水冲洗10~15次。

3.根据权利要求1所述的一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其特征在于：步骤4）中所述手动化学机械抛光是采用体积比为1:3的compol‑80/H2O溶液作为抛光液。

4. 根据权利要求1所述的一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其特征在于：步骤6）中Ge片的表面处理方法是用丙酮、乙醇和去离子水分别依次超声清洗10 15 ~min，以去除基底表面吸附的颗粒物和有机物。