1.一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，电镀，提供两块金属基底，所述金属基底的焊接面上沉积有厚度为20±2μm的Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1 10at.%；

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步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊或回流焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co-P/Sn/Co-P微互连结构；

步骤三，时效处理，对制得的Co-P/Sn/Co-P微互连结构进行时效处理，时效温度为150~

230℃，时效时间为20 200h，得到具有[100]择尤取向的全IMC微焊点。

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2.根据权利要求1所述的具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤一中金属基底的焊接面上通过超声辅助电沉积、化学镀、蒸镀或溅射得到Co-P纳米晶薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于，所述步骤二中浸焊或回流焊的工艺参数为：焊接温度为230 320℃，焊接时间为10 90s，~ ~冷却方式为风冷或水冷。

4.根据权利要求1或2所述的具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤二中浸焊或回流焊的焊缝高度≤三倍Co-P纳米晶薄膜厚度。

5.根据权利要求1或2所述的具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于：所述步骤三中时效温度和时效时间根据具体情况进行合理调整；且时效温度越高，时效时间越短；时效温度越低，时效时间越长。

6.根据权利要求1或2所述的具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于：所述金属基底的材质为Cu、Au、Ag、Al和Ni中的一种。