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专利号: 2019109087484
申请人: 武汉工程大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-12-01
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于单个金属银纳米颗粒‑金属银薄膜的Fano共振结构,其特征在于,包括从上而下依次设置的金属纳米颗粒、透明介质膜和金属薄膜;

所述金属纳米颗粒是Ag 纳米立方体,其直径平均为75nm;

所述金属薄膜为银膜,所述银膜厚度是80nm;

所述透明介质膜为Al2O3薄膜,厚度为2nm。

2.一种根据权利要求1所述的基于单个金属银纳米颗粒‑金属银薄膜的Fano共振结构的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)在绝缘衬底上用电子束蒸发的方法镀一层金属薄膜;

(2)用原子层沉积方法在金属薄膜上沉积一层透明介质膜;

(3)将金属纳米颗粒用滴涂的方法分散在透明介质膜上。

3.根据权利要求2所述的基于单个金属银纳米颗粒‑金属银薄膜的Fano共振结构的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述绝缘衬底为硅片。