1.一种应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：包括零温度系数产生电路、零温度系数偏置电流源和温度系数可调电流补偿电路，所述零温度系数产生电路为零温度系数偏置电流源和温度系数可调电流补偿电路提供零温度系数的电流，温度系数可调电流补偿电路将零温度系数的电流转化为温度系数可调的补偿电流，所述温度系数可调的补偿电流与零温度系数偏置电流源流出的零温度系数的电流同时为霍尔传感器A端口提供输入偏置电流；温度系数可调电流补偿电路产生的温度系数可调的补偿电流与零温度系数偏置电流源流出的零温度系数的电流通过零温度系数偏置电流源中的电流沉，使得霍尔传感器的C端口流出的偏置电流与霍尔器件的A端口输入的偏置电流大小相等、方向相反。

2.根据权利要求1所述的应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述温度系数可调电流补偿电路包括PMOS管M1、M2、M3、M4和M7，NMOS管M10，电阻R1和R2、片外可调电阻R+和R-以及运算放大器OP1，所述零温度系数偏置电流源包括PMOS管M5、M6、M8和M9以及NMOS管M11和M12，所述PMOS管M1的源极接电源Vdd，PMOS管M1的漏极和PMOS管M2的源极相连接，PMOS管M1的栅极与PMOS管M5和PMOS管M8的栅极一起连接到零温度系数产生电路的a节点；所述PMOS管M2栅极和漏极与PMOS管M6和PMOS管M9的栅极一起连接到零温度系数产生电路的b节点；

所述PMOS管M3的源极接电源Vdd，PMOS管M3的漏极和PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M7的栅极相连接；所述PMOS管M4的源极接电源Vdd，PMOS管M4的漏极和PMOS管M6的漏极及霍尔器件的A端口相连接；所述PMOS管M7的源极接电源Vdd，PMOS管M7的漏极和PMOS管M9的漏极相连接；

所述电阻R1的一端和PMOS管M2的漏极相连接，电阻R1的另一端和电阻R2的一端以及运算放大器OP1的同相输入端相连接，电阻R2的另一端接地；所述片外可调电阻R+和R-并联后，一端和运算放大器OP1的反相输入端及NMOS管M10的源极相连接，另一端接地；所述NMOS管M10的漏极和PMOS管M3的漏极相连接，NMOS管M10的栅极和运算放大器OP1的输出端相连接；

所述PMOS管M5的源极接电源Vdd，PMOS管M5的漏极和PMOS管M6的源极相连接；所述PMOS管M8的源极接电源Vdd，PMOS管M8的漏极和PMOS管M9的源极相连接；所述NMOS管M11和M12构成电流沉，所述NMOS管M11的漏极和栅极、NMOS管M12的栅极、PMOS管M7的漏极以及PMOS管M9的漏极相连接，NMOS管M11的源极接地；所述NMOS管M12的漏极和霍尔器件的C端口相连接，NMOS管M12的源极接地；以上所有NMOS管的衬底接地，以上所有PMOS管的衬底接电源Vdd。

3.根据权利要求2所述的的应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述零温度系数产生电路包括启动电路和零温度系数产生电流源，所述启动电路包括PMOS管M13和M14以及NMOS管M15，所述零温度系数产生电流源包括PMOS管M16、M17、M18和M19，电阻R3、R4和R5，PNP管Q1和Q2以及运算放大器OP2，所述PMOS管M13的源极接电源Vdd，PMOS管M13的漏极和NMOS管M15的漏极相连接，PMOS管M13的栅极和PMOS管M14和NMOS管M15的栅极相连接；所述PMOS管M14的源极接电源Vdd，PMOS管M14的漏极和PMOS管M18的漏极、电阻R4和R3的一端以及运算放大器OP2的同相输入端相连接；NMOS管M15的源极接地；

所述PMOS管M16的源极接电源Vdd，PMOS管M16的漏极和PMOS管M18的源极相连接，PMOS管M16的栅极和PMOS管M17的栅极以及运算放大器OP2的输出端一起连接到输出的a节点；所述PMOS管M17的源极接电源Vdd，PMOS管M17的漏极和PMOS管M19的源极相连接；所述PMOS管M18的栅极和PMOS管M19的栅极一起连接到输出的b节点；所述PMOS管M19的漏极和运算放大器OP2的反相输入端和电阻R5的一端以及PNP管Q1的发射极相连接；电阻R4的另一端接地；

电阻R3的另一端和PNP管Q2的发射极相连接；电阻R5的另一端接地；PNP管Q1的基极和集电极接地，PNP管Q2的基极和集电极接地；以上所有NMOS管的衬底接地，以上所有PMOS管的衬底接电源Vdd。

4.根据权利要求2所述的的应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述电阻R+为正温度系数的片外可调PTC热敏电阻，R-为负温度系数的片外可调NTC热敏电阻，所述电阻R1、R2为低温度系数的多晶硅电阻。

5.根据权利要求2所述的的应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述温度系数可调电流补偿电路中，通过调节片外可调PTC热敏电阻R+和片外可调NTC热敏电阻R-的值，控制补偿电流的温度系数，当温度升高或降低时，均通过调整具有相反温度系数的片外可调PTC热敏电阻R+和片外可调NTC热敏电阻R-的值来稳定霍尔器件的电流灵敏度。