1.一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述电路包括霍尔传感器偏置电流温度补偿电路和温度控制电路两部分，所述的霍尔传感器偏置电流温度补偿电路包括基准电流源、PMOS镜像电流源、高温补偿比例电流源、低温补偿比例电流源和2个受温度控制电路控制的MOS管开关K1和K2，根据基准电流源电流,PMOS镜像电流源产生的是一个PMOS镜像电流，为霍尔传感器提供偏置电流，当温度大于某个设定的温度时，温度控制电路输出低电平，PMOS管开关K2导通，霍尔传感器的偏置电流的大小为PMOS镜像电流源的大小减去高温补偿比例电流源的大小，当温度小于某个设定的温度时，温度控制电路输出高电平，NMOS管开关K1导通，霍尔传感器的偏置电流的大小为PMOS镜像电流源的大小减去低温补偿比例电流源的大小。

2.根据权利要求1所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述的霍尔传感器偏置电流温度补偿电路结构包括电阻Rref、NMOS管M1，M2，M3，M4和PMOS管M7，M8构成基准电流源，Rref的一端连接电源Vdd，另一端连接M1的漏极，M1的漏极和M1和M3的栅极相连接，M1的源极和M2的漏极相连接，M2的栅极和M4的栅极和漏极相连接，M2和M4的源极都接地，M3的源极和M4的漏极相连接，M3的漏极和M8的漏极和栅极相连接，M8的源极和M7的漏极和栅极连接，M7的源极接电源Vdd；PMOS管M7和M8与PMOS管M9和M10构成PMOS共源共栅镜像电流源，M9的源极接电源Vdd，M9的栅极接M7的栅极，M9的漏极接M10的源极，M10的栅极接M8的栅极，M10的漏极接霍尔传感器的端口A；NMOS管M11，M12，M13，M14和电阻Rt构成低温补偿比例电流源，M12和M14的源极接地，M12和M14的栅极共同接M12的漏极，M11的源极接M12的漏极，M11的漏极接NMOS管开关K1的源极,M11的栅极接M13的栅极和漏极，M13的源极接M14的漏极，M13的漏极接Rt的一端，Rt的另一端接电源Vdd；横向PNP管Q1和Q2，电阻R1，R2和R3构成高温补偿比例电流源，Q1的集电极接R1的一端，R1的另一端接地，Q1的发射极接PMOS管开关K2的漏极，Q1的基极接Q2的基极和集电极，Q2的集电极接R2的一端，R2的另一端接地，Q2的发射极接R3的一端，R3的另一端接电源Vdd；NMOS管开关K1和PMOS管开关K2的栅极电压接温度控制电路输出信号KT，NMOS管开关K1的漏极和PMOS管开关K2的源极接M10的漏极。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述NMOS管的衬底接地，所述PMOS管的衬底接电源Vdd。

4.根据权利要求2所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述电路中的电阻Rt为正温度系数的N阱体电阻，电阻Rref、R1、R2和R3为低温度系数的多晶硅电阻。

5.根据权利要求4所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述电路中低温补偿比例电流源的大小随温度减小而增大，通过调节N阱体电阻Rt值和M11与M13，M12与M14的沟道宽长比，控制低温补偿比例电流源输出的电流大小。

6.根据权利要求4或5所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述电路中的高温补偿比例电流源大小随温度增大而增大，通过调节Q1和Q2的发射区面积，以及电阻R1和R2的比值，控制高温补偿比例电流源输出电流的大小，由于采用共源共栅结构的PMOS镜像电流源输出的电流基本不随温度发生变化，从而使霍尔传感器的输入偏置电流随温度的增大而减小，能补偿高温时霍尔传感器电流灵敏度随温度增大而增大的特性。

7.根据权利要求1或2所述的一种用于CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，其特征在于：所述的霍尔传感器偏置电流温度补偿电路受温度控制电路的控制，温度控制电路由温度信号检测电路、电压放大器和迟滞比较器构成，横向PNP管Q3和Q4，电阻R4，R5和R6构成温度信号检测电路，Q3的基极和集电极相连，并接地，Q3的发射极接电阻R4的一端，R4的另一端和R5的一端连接，R5的另一端接电源Vdd，Q4的基极接Q3的基极,Q4集电极接地，Q4的发射极接电阻R6的一端，R6的另一端接电源Vdd；运算放大器A1，电阻R7，R8，R9和R10构成电压放大器，迟滞比较器的反相输入端接电压放大器的输出，它的同相输入端接参考电压VREF，迟滞比较器输出控制信号KT。