1.一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：主要包括以下步骤：步骤一、将清洗干燥后的钼靶固定到磁控溅射镀膜机靶位上；

步骤二、将3‑4片清洗干燥后的银片对称放到钼靶上，采用直流磁控溅射法，在溅射过程中部分银原子与钼原子在磁场作用下沉积在银片表面形成具有蜂窝状结构的低反射银‑钼合金膜。

2.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：在位于银片远离钼靶一侧的基片台上设置有基片，所述基片与银片相对设置，且在溅射过程中基片上同时沉积有呈黑色的低反射银‑钼颗粒膜。

3.根据权利要求2所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述基片为铝箔基片、玻璃基片或者不锈钢基片。

4.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述钼靶以及银片清洗的具体工艺为：将钼靶以及银片用无水乙醇在超声波清洗机中超声清洗15min，取出来吹干。

5.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述钼靶的纯度为99.9%，且所述钼靶为φ50×4mm厚。

6.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述银片的纯度为99.99%。

7.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述银片的形状为正方形，且其边长为5‑12mm，厚度为1mm。

8.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述步骤二中直流磁控溅射法制备工艺为：将3‑4片清洗干燥后的银片对称放到钼靶上‑4 

后，封闭镀膜真空室，将其抽真空到6×10 Pa，然后通入氩气使真空室压力达到0.45Pa，接+

通直流电源，溅射过程中Ar 将钼‑银复合靶材表面的钼原子与银原子激发出来，部分银原子与钼原子在磁场作用下沉积在银片表面形成具有蜂窝状结构的低反射银‑钼合金膜。

9.根据权利要求8所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：所述溅射功率为110W，溅射时间为2‑30min。

10.根据权利要求1所述的一种在银片表面制备低反射银‑钼合金膜的方法，其特征在于：在溅射过程中通过调整溅射时间来控制合金膜的微观结构，从而获得不同反射率的合金膜。