1.一种脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

①、在惰性气氛或空气中，在20～100℃的温度条件下，将硅烷偶联剂N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷(简称KH-792)加入到硅烷偶联剂3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(简称WD-60)中，其加入量以质量比计KH-792：WD-60＝1：0.1～10，然后加入溶剂溶解后进行溶胶-凝胶反应1～48h，制备得到硅烷偶联剂混合物；

②、先将氧化石墨烯(GO)用水溶解，搅拌1～48h，超声分散0.1～2h，得到均匀溶液；再将其加入到步骤①制备得到的硅烷偶联剂混合物中，其加入量以质量比计GO：WD-60＝1：

0.1～10，搅拌1～48h，得到含硅的GO-Si杂化前驱体；

③、在一定质量百分浓度的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，加入上述步骤②制备得到的GO-Si杂化前驱体，其加入量以质量比计，PVA：WD-60＝1：0.1～10，再继续反应1～24h，将所得到的物质静置脱泡后得到GO-Si涂膜液；

④、将静置脱泡后的GO-Si涂膜液直接在支撑体上涂膜至得到膜片，室温下放置1～

48h，将膜片与支撑体分离，然后再将膜片在20～100℃的条件下干燥1～48h，冷却后即得到不带有支撑体的可用于脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜；

或者，将静置脱泡后的GO-Si涂膜液直接在支撑体上涂膜至得到膜片，然后在10～100℃的条件下，将支撑体和膜片一起共同干燥1～48h，冷却后即得到带有支撑体的可用于脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜。

2.一种脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

①、在惰性气氛或空气中，在20～100℃的温度条件下，将硅烷偶联剂N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷(简称KH-792)加入到硅烷偶联剂3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(简称WD-60)中，其加入量以质量比计KH-792：WD-60＝1：0.1～10，然后加入溶剂溶解后进行溶胶-凝胶反应1～48h，制备得到硅烷偶联剂混合物；

②、先将氧化石墨烯(GO)用水溶解，搅拌1～48h，超声分散0.1～2h，得到均匀溶液；再将其加入到步骤①制备得到的硅烷偶联剂混合物中，其加入量以质量比计GO：WD-60＝1：

0.1～10，搅拌1～48h，得到含硅的GO-Si杂化前驱体；

③、在一定质量百分浓度的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，加入上述步骤②制备得到的GO-Si杂化前驱体，其加入量以质量比计，PVA：WD-60＝1：0.1～10，再继续反应1～24h，将所得到的物质静置脱泡后得到GO-Si涂膜液；

④、将静置脱泡所得到的GO-Si涂膜液先用溶剂溶解，然后将所得到的物质在支撑体上涂膜至得到膜片，接着将支撑体和膜片一起共同在10～100℃的条件下干燥1～48h，冷却后即得到带有支撑体的可用于脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜；或干燥后将膜片与支撑体分离，即得到不带有支撑体的可用于脱除水中铜离子的氧化石墨烯杂化膜。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、二甲亚砜、N-甲基吡咯烷酮、甲醇、乙醇、异丁醇或正丁醇。

4.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述支撑体选用聚四氟乙烯板(Teflon板)、玻璃板、Al2O3陶瓷、二氧化硅陶瓷、二氧化钛陶瓷、二氧化锆陶瓷、聚乙烯膜、涤纶布、玻璃纤维布、尼龙布或无纺布。

5.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述干燥选用对流干燥、真空干燥、传导干燥、紫外线干燥、红外线干燥、微波干燥或机械脱水干燥。

6.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述涂膜选用流动涂膜、浸渍涂膜、喷洒涂膜、刮膜或旋转涂膜。

7.一种如权利要求1或2所述方法制备的氧化石墨烯杂化膜在脱除水中铜离子的应用。