1.一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采用单晶硅片为衬底，用丙酮和甲醇混合液超声清洗，用氨水和双氧水混合溶液超声清洗，再用稀释的HF超声清洗，用去离子水清洗、烘干，备用；

S2、热蒸发金属Al和Sc，在S1备用的硅片衬底上形成3-5nm的金属Al和Sc混合金属膜层，作为生长Si纳米线的金属催化剂；

S3、在氩气的保护下，在单晶Si衬底表面生长出Si纳米线；

S4、以稀土Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末为杂质源，按照比例混合均匀并涂覆在所述步骤S3中形成的Si纳米线的表面；

S5、对步骤S4中生成的Si纳米线进行Eu3+、Y3+和La+掺杂，制备荧光纳米材料SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+。

3+ 3+ 3+

2.根据权利要求1所述的一种新型超细SiNWS:Eu ,La ,Y 荧光纳米材料的制备方法，其特征在于：.所述步骤S2，采用真空镀膜机，金属Al和Sc的比例为1:1-5:1，生长的所述Al和Sc混合金属膜层厚度为3-5nm。

3.根据权利要求2所述的一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中Al和Sc的比例为3:1-5:1。

4.根据权利要求3所述的一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中采用高温炉，保护气为温度为1100-1300℃的氩气，生长出来的所述Si纳米线的直径为20-50nm，长度为10-100um。

5.根据权利要求1所述的一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，所述Eu2O3、Y2O3和La2O3粉末杂质源的配比为50:1:1-20:1:1。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种新型超细SiNWS:Eu3+,La3+,Y3+荧光纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的三次超声清洗的时间均为10min，所述氨水和双氧水混合溶液的配比为1:2:5，所述稀释的HF的比例为HF:H2O＝1:10。