1.一种三维多孔Co-C3N4的制备方法，其特征在于：其具体包括以下步骤：S1、将三聚氰胺在氩气气氛保护下，在500～550℃加热1～3h后得到粉体g-C3N4，从室温到500～550℃的升温速率为3℃/min；

S2、将g-C3N4、镁粉和钴源按2:2:1～2:4:1的摩尔比称量研磨之后，用CVD通Ar气烧650～700℃，保温时间为2～4h，待CVD自然冷却到室温，取出混合物；

S3、将上述混合物用稀盐酸浸泡3h后用蒸馏水离心洗涤到中性，将所得的粉末置于真空干燥箱中70～100℃下真空干燥6～12h，得到三维多孔Co-C3N4，所述稀盐酸由浓度为37％的稀盐酸和蒸馏水以1:10～1:20体积比制得。

2.根据权利要求1所述的三维多孔Co-C3N4的制备方法，其特征在于：所述钴源为六水氯化钴、硝酸钴或乙酸钴。

3.根据权利要求1所述的三维多孔Co-C3N4的制备方法，其特征在于：步骤S2中从室温到

650～700℃的升温速率为5℃/min。