1.一种高散热大功率LED灯珠，其特征在于，包括散热基板、金属围坝、LED光源、连接散热基板和LED光源的共晶层、覆盖在LED光源上的封装胶层、以及焊盘；

所述散热基板为氧化铍陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板；

所述LED光源包括至少一个倒装LED芯片和至少一组RGB光源；

所述金属围坝形成两个杯状结构，倒装LED芯片和RGB光源分别设置在不同的杯状结构中，其中一个杯状结构可发出白光，另一个杯状结构可发出红、蓝、绿光中的一种或几种光；

所述共晶层的材质为金锡合金，其中，锡的质量百分比为20‑30%；

所述封装胶层包括荧光胶层和有机硅封装胶层，其中有机硅封装胶按聚二甲硅氧烷：硅树脂＝20‑60：40‑80的比例调配、混合得到，荧光胶由荧光粉、有机硅封装胶和偶联剂以

1:10‑13:0.1‑0.7的比例调配、混合得到；

封装过程中，将荧光胶涂覆在倒装LED芯片上，将有机硅封装胶涂覆在RGB光源上，静置

1.5‑2.5小时，当荧光胶中的荧光粉沉降率达到85％或以上时，对荧光胶和有机硅封装胶进行固化，固化温度为140‑170℃，固化时间为2.3‑3.5小时。

2.如权利要求1所述的高散热大功率LED灯珠，其特征在于，所述金属围坝的材质为金锡合金、镍金合金、镍钯金合金、铝合金、氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷或石英玻璃；

所述杯状结构的形状为矩形、圆形或三角形。

3.如权利要求1所述的高散热大功率LED灯珠，其特征在于，所述RGB光源包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。

4.如权利要求1所述的高散热大功率LED灯珠，其特征在于，所述有机硅封装胶包括聚二甲硅氧烷和硅树脂；

所述荧光粉为铝酸盐类荧光粉或硅酸盐类荧光粉。

5.如权利要求4所述的高散热大功率LED灯珠，其特征在于，覆盖在倒装LED芯片上的封装胶层还包括偶联剂，所述偶联剂γ‑氨丙基三乙氧基硅烷（硅烷偶联剂KH550）、γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂KH560）、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂KH570）、乙烯基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂A‑171）、乙烯基三乙氧基硅烷（硅烷偶联剂A‑151）、异丙基三油酸酰氧基钛酸酯（钛酸酯偶联剂TC‑105）、单烷氧基三（二辛基磷酰氧基）钛酸酯（钛酸酯偶联剂CT‑114）、异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯（钛酸酯偶联剂NDZ‑201）或异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯（铝酸酯偶联剂DL‑411‑A）中的一种或几种。

6.一种如权利要求1 5任一项所述高散热大功率LED灯珠的制作方法，其特征在于，包~括以下步骤：

在散热基板上形成金属围坝，所述金属围坝形成两个杯状结构；

将共晶材料涂覆在散热基板上，并将倒装LED芯片和RGB光源放置在共晶材料上，其中，所述共晶材料为金锡合金，锡的质量百分比为20‑30%，倒装LED芯片和RGB光源分别设置在不同的杯状结构中；

对散热基板和倒装LED芯片进行共晶，共晶温度为290‑330℃；

将荧光胶涂覆在倒装LED芯片上，将有机硅封装胶涂覆在RGB光源上，静置1.5‑2.5小时，当荧光胶中的荧光粉沉降率达到85%或以上时，对荧光胶和有机硅封装胶进行固化，固化温度为140‑170℃，固化时间为2.3‑3.5小时。

7.如权利要求6所述的高散热大功率LED灯珠的制作方法，其特征在于，所述RGB光源包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片；

所述荧光胶包括荧光粉和有机硅封装胶。

8.如权利要求7所述的高散热大功率LED灯珠的制作方法，其特征在于，所述荧光胶还包括偶联剂，所述偶联剂γ‑氨丙基三乙氧基硅烷（硅烷偶联剂KH550）、γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂KH560）、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂KH570）、乙烯基三甲氧基硅烷（硅烷偶联剂A‑171）、乙烯基三乙氧基硅烷（硅烷偶联剂A‑

151）、异丙基三油酸酰氧基钛酸酯（钛酸酯偶联剂TC‑105）、单烷氧基三（二辛基磷酰氧基）钛酸酯（钛酸酯偶联剂CT‑114）、异丙基三（二辛基焦磷酸酰氧基）钛酸酯（钛酸酯偶联剂NDZ‑201）或异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯（铝酸酯偶联剂DL‑411‑A）中的一种或几种。

9.如权利要求8所述的高散热大功率LED灯珠的制作方法，其特征在于，调配荧光胶包括以下步骤：按荧光粉：有机硅封装胶：偶联剂=1:10‑13:0.1‑0.7的比例进行调配、混合，得到混合物；

对混合物搅拌加热，加热温度为40‑70℃。