1.一种静电放电保护器件，包括：形成于半导体基底内的源区和漏区，其特征在于，所述漏区包括：至少两个第一掺杂区、位于两个第一掺杂区之间的第二掺杂区以及位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的阱区，所述第一掺杂区、阱区和第二掺杂区沿沟道长度方向排布，所述第一掺杂区和第二掺杂区掺杂的离子类型相反，所述第二掺杂区和阱区掺杂的离子类型相同。

2.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，还包括：形成于所述半导体基底表面且覆盖所述阱区的氧化层。

3.如权利要求1或2所述的静电放电保护器件，其特征在于，还包括：形成于所述半导体基底上的栅极结构。

4.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述源区掺杂的离子类型与所述第一掺杂区掺杂的离子类型相同。

5.如权利要求1所述的静电放电保护器件，其特征在于，所述阱区的离子掺杂浓度为

1016～1020/cm3，深度为100nm～10μm；所述第一掺杂区的离子掺杂浓度为1016～1020/cm3，深度为10nm～1μm；所述第二掺杂区的离子掺杂浓度为1016～1020/cm3，深度为10nm～1μm。

6.一种权利要求1至5任一项所述的静电放电保护器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；

执行第一次离子注入，在所述半导体基底内形成第三掺杂区；

执行第二次离子注入，在所述半导体基底内形成所述源区和第一掺杂区；

执行第三次离子注入，在所述第三掺杂区内形成所述第二掺杂区，所述第二掺杂区将所述第三掺杂区分隔为所述阱区。

7.如权利要求6所述的静电放电保护器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体基底表面形成覆盖所述阱区的氧化层。

8.如权利要求6或7所述的静电放电保护器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体基底上形成栅极结构。

9.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：若干权利要求1至5任一项所述的静电放电保护器件，所述若干静电放电保护器件呈阵列方式布置于金属垫之下。

10.如权利要求9所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一掺杂区连接电源节点，所述第二掺杂区接地，所述静电放电保护器件的栅极接地；或者，所述第一掺杂区接地，所述第二掺杂区连接电源节点，所述静电放电保护器件的栅极连接电源节点。

11.如权利要求10所述静电放电保护结构，其特征在于，所述阱区连接控制电路。