1.一种静电放电保护电路，用于保护集成电路免受静电放电损害，所述静电放电保护电路包括：至少一个放电电路，用于提供放电路径，其中，所述放电电路包括：第一MOS晶体管，其源极用于接收输入的静电放电信号；以及开关元件，具有输入端、第一输出端及第二输出端，其中，其输入端与所述第一MOS晶体管的栅极相连，其第一输出端与所述第一MOS晶体管的漏极相连，其第二输出端与接地电压相连；以及箝位电路，与所述放电电路相连，正常工作时，所述箝位电路提供第一电压给所述放电电路，以关闭所述放电电路；发生静电放电时，提供第二电压给所述放电电路，以开启所述放电电路；其特征在于：所述箝位电路包括：

电压源；

第二MOS晶体管，第二MOS晶体管的栅极接地，其源极与所述电压源相连；

第三MOS晶体管，第三MOS晶体管的栅极与所述第二MOS晶体管的栅极相连，其源极与所述第二MOS晶体管的漏极相连；

第四MOS晶体管，第四MOS晶体管的栅极与所述第三MOS晶体管的漏极相连，其漏极与所述放电电路开关元件的输入端相连，其源极与接地电压相连；以及第五MOS晶体管，第五MOS晶体管的栅极与所述第三MOS晶体管的漏极相连，其源极与漏极分别与接地电压相连。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第二MOS晶体管及第三MOS晶体管均为P沟道MOS晶体管。

3.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第四MOS晶体管及第五MOS晶体管均为N沟道MOS晶体管。

4.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为P沟道MOS晶体管。

5.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述开关元件为N沟道MOS晶体管。

6.一种电子产品，其特征在于，所述电子产品包括：集成电路；以及

如权利要求1至5项任一项所述的静电放电保护电路，与所述集成电路并行连接，用于避免集成电路受静电放电损害。