1.一种半导体器件负载短路状态下导通冲击装置，其特征在于，该装置包含：与半导体器件的源极和漏极电路连接组成回路的直流电源和负载；

所述直流电源的正极与所述半导体器件的漏极连接，半导体器件的源极通过负载与功率直流电源的负极连接；

栅压提供电路，其输出使半导体器件导通的导通栅压V0；

栅压控制电路，其输入端电路连接栅压提供电路，输出端连接半导体器件栅极和源极，栅压控制电路初始向半导体器件栅极和源极的输出为0V，经过预设时间t0将输出由0V提升至导通栅压V0，使半导体器件转换到导通状态，直流电源对半导体器件实施导通冲击；

预设时间t0范围为大于0、小于等于150微秒；

保护电路，包含监测漏源电流模块和检测负载电压模块，所述保护电路设置在所述半导体器件的源极与负载之间；

所述监测漏源电流模块串联设置在半导体器件的源极与负载之间，检测负载电压模块与负载两端并联；

保护电路检测半导体器件漏源端的漏源电流和负载电压，当检测到漏源电流随时间爬升率达到预设的启动保护阈值，并且负载电压为零，则保护电路触发栅压控制电路将栅压提供电路的栅压降低到0V，关断半导体器件结束冲击。

2.如权利要求1所述的半导体器件负载短路状态下导通冲击装置，其特征在于，所述栅压提供电路包含：

DC/DC电路，其输入端接电源输入，输出与电源地隔离的电信号；

稳压电路，其输入端连接DC/DC电路输出的电信号，输出端输出稳定的导通栅压V0。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件负载短路状态下导通冲击装置，其特征在于，所述栅压控制电路包含：

电阻‑电容网络电路，其输入端连接栅压提供电路输出端；

MOS开关电路，其输入端连接电阻‑电容网络电路输出端，控制栅压经过预设时间t0将0V上升至导通栅压V0，或将栅压由导通栅压V0降至0V。

4.如权利要求1所述的半导体器件负载短路状态下导通冲击装置，其特征在于，所述负载为电子负载；

所述冲击装置还包含：

电子负载控制电路，其电路连接电子负载，控制电力负载在常规工作状态和短路状态之间转换。

5.一种如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的半导体器件负载短路状态下导通冲击装置的冲击方法，其特征在于，该方法包含：负载处于短路状态；

栅压提供电路输出使半导体器件导通的导通栅压V0至栅压控制电路；

栅压控制电路初始向半导体器件栅极和源极的输出为0V，经过预设时间t0将输出由0V提升至导通栅压V0，使半导体器件转换到导通状态，直流电源对半导体器件实施导通冲击；

预设时间t0范围为大于0、小于等于150微秒。

6.如权利要求5所述的冲击方法，其特征在于，该方法还包含：保护电路检测半导体器件漏源端的漏源电流和负载电压，当检测到漏源电流随时间爬升率达到预设的启动保护阈值，并且负载电压为零，则保护电路触发栅压控制电路将栅压提供电路的栅压降低到0V，关断半导体器件结束冲击；

其中预设的启动保护阈值为漏源电流IDS对时间的微分值dIDS/dt。

7.如权利要求6所述的冲击方法，其特征在于，所述预设的启动保护阈值为漏源电流IDS5

对时间的微分值dIDS/dt大于2×10A/S。

8.如权利要求6所述的冲击方法，其特征在于，在半导体器件损坏功率临界值内，通过调节预设的启动保护阈值，实现调整冲击强度。

9.如权利要求5所述的冲击方法，其特征在于，所述负载为电子负载，电子负载控制电路在进行半导体器件负载短路状态下导通冲击之前，将电子负载由常规工作状态转为短路状态。