1.一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的制备方法，其特征在于，按照如下步骤进行：(1)称取适量MoS2纳米块分散到一定体积乙醇中，超声8-16h后离心，取上层淡黑色悬浮液，之后真空干燥得到少层MoS2超薄纳米片；

(2)将步骤(1)制备的MoS2超薄纳米片加入到无水乙醇中，超声分散30-60min，之后向其中加入一定量的CdSO4·8H2O，超声搅拌10-35min后，再根据一定质量比加入In(NO3)3·

4.5H2O和硫脲CH4N2S，搅拌至溶解后，进行水热反应，待其冷却至室温，离心、洗涤、干燥，得到CdIn2S4纳米颗粒修饰的少层MoS2纳米片复合光催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，MoS2纳米块和无水乙醇的用量比为0.0009-0.1372g:10-

35mL，离心转速为2000-4000r/min。

3.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(2)中,MoS2超薄纳米片、无水乙醇、CdSO4·8H2O、In(NO3)3·

4.5H2O和CH4N2S的用量比为0.0009-0.1372g：15-50mL：0.1405-1.9670g：0.3044-4.2616g：

0.2427-3.3978g。

4.根据权利要求1所述的一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述水热反应温度为180-220℃，反应时间为15-24h。

5.通过权利要求1-4中任一项所述的制备方法所得的CdIn2S4纳米颗粒修饰少层Mo2S纳米片复合光催化剂，其特征在于，MoS2纳米片在复合催化剂中的质量百分比为0.5-5％。

6.根据权利要求5所述的一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的应用，其特征在于，所述复合材料用于可见光下催化降解2-硫醇基苯并噻唑MBT或盐酸四环素(TCH)。