1.一种可见光促进的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物的合成方法，其特征在于：通过如下步骤合成：首先将C-4位芳胺基取代香豆素类化合物和硫氰酸盐类物质混合溶于有机溶剂中，然后加质子酸，在氧气、室温条件和蓝色12瓦LED光源照射下，磁力搅拌反应10h～24h；反应结束后，反应液通过旋转蒸发器除去溶剂，残余物用硅胶柱进行纯化，制得通式(Ⅰ)所示的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物，其中：

R1为连接在香豆素苯环上的取代基，选自C1～C5的直链烷基、卤素；

R2为连接在氨基相连苯环上的取代基，选自C1～C5的直链烷基；

所述的C-4位芳胺基取代香豆素类化合物，即含有芳胺基连接在香豆素的C-4上，通式如式(Ⅱ)所示；所述的硫氰酸盐化合物为硫氰酸钠、硫氰酸钾、硫氰酸铵中的一种，通式如式(Ⅲ)所示；

式(Ⅱ)化合物中的取代基R1、R2的定义同式(Ⅰ)；式(Ⅲ)中M为Na、K或NH4；取代基R1、R2为

0、1或2个。

2.根据权利要求1所述一种可见光促进的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物的合成方法，其特征在于：所述的硫氰酸盐的量为C-4位芳胺基取代香豆素的2～5倍物质的量；所述质子酸为C-4位芳胺基取代香豆素的1.5～3倍物质的量。

3.根据权利要求1所述一种可见光促进的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物的合成方法，其特征在于：所述的有机溶剂是四氢呋喃、1,4-二氧六环、甲苯、1,2-二氯乙烷中的一种；所述质子酸为三氟乙酸、乙酸中的一种。

4.根据权利要求1所述一种可见光促进的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物的合成方法，其特征在于：所述的反应是在氧气条件下进行，其反应温度为室温；

或，所述的反应不加入配体和金属催化剂；

或，所述的蓝色光线由12瓦的LED灯发出，通过可见光促进诱导反应物香豆素C-3位C-H键直接硫氰酸化构建C-3位硫氰酸根取代香豆素类化合物；

或，所述的硅胶柱优选硅胶规格为200～300目，纯化时采用体积比5:1-20:1的石油醚/乙酸乙酯为洗脱剂。

5.根据权利要求1所述一种可见光促进的C-3位硫氰酸根取代4-胺基香豆素类衍生物的合成方法，其特征在于：室温下，向装有磁力搅拌子的25毫升Schlenk施兰克管中装入硫氰酸铵0.6毫摩尔，C-4位苯胺取代香豆素0.2毫摩尔，用氧气将反应管置换三次，并将一个充满氧气的气球接到反应管上；用注射器将三氟乙酸0.4毫摩尔，1,4-二氧六环2毫升，加入到上述反应管内，将12瓦蓝色LED灯放在距离反应管3厘米的地方，室温下反应12h；反应完成后，将有机相通过旋转蒸发器除去溶剂，残余物用硅胶柱进行纯化，硅胶规格为200目～

300目，洗脱剂为石油醚比乙酸乙酯，体积比为6：1，得到目标产物50.5mg，所得产物核磁图谱数据为：

1

HNMR:(CDCl3,500MHz,ppm)δ7.60(t,1H,J＝7.2Hz),7.49-7.41(m,2H),7.31(t,2H,J＝

8.0Hz),7.22(t,1H,J＝7.6Hz),7.01(t,1H,J＝7.4Hz),6.85(d,2H,J＝8.0Hz),3.57(s,

3H)；

13CNMR(CDCl3,125MHz,ppm)δ160.3,158.9,153.7,145.6,133.6,129.8,126.1,124.7,

122.0,118.1,117.7,116.3,109.0,108.7,39.6；

所得产物红外光谱数据为：vmax(KBr)/cm-13460,2894,2167,1721,1633,1509,1375,

757；

所得产物高分辨率质谱数据为：HRMScalcdforC17H12N2O2S[M+H]+309.0692；

found309.0695。