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专利号: 2019103266457
申请人: 上海应用技术大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-04-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:在活化好的丝网印刷电极表面滴涂薄层MoS2,并采用电化学还原法对电极表面的MoS2进行还原,得到还原态MoS2修饰的电极;

S2:将还原态MoS2修饰的电极浸入含有模板分子和多巴胺的聚合液中,常温下搅拌,得到分子印迹聚合物薄膜修饰的电极,之后通过洗脱液洗脱去除模板分子,得到洗脱后的分子印迹聚合物薄膜修饰的电极;

S3:将步骤S2中洗脱后的分子印迹聚合物薄膜修饰的电极浸入含1.0~2.0×10-3mol·-1L  HAuCl4的溶液中,采用原位还原生长法在洗脱后的分子印迹聚合物薄膜修饰的电极表面生长纳米金颗粒,得到可抛式电化学传感器成品。

2.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤S1中的电化学还原法为:将滴涂有薄层MoS2的丝网印刷电极浸入0.05mol·L-1的NaCl溶液中,在惰性气体N2保护下,采用循环伏安法进行电还原,扫描电位范围为-1.1~

1.1V,扫速为50mV·s-1,稳定扫描8~10圈,得到还原态二硫化钼修饰的电极。

3.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的模板分子为四环素、诺氟沙星和氟苯尼考中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2中的搅拌时间为5h。

5.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的聚合液是由多巴胺和模板分子溶解于pH值为8.5的Tris-HCl缓冲溶液中溶解摇匀得到,其中多巴胺浓度为0.01~0.03mol·L-1,模板分子浓度为1.0~3.0×10-3mol·L-1。

6.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2中的洗脱液为由乙醇、浓氨水和水按7:2:1的比例混合而成。

7.根据权利要求1所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2中的洗脱过程在超声环境中进行。

8.根据权利要求7所述的一种可抛式电化学印迹传感器的制备方法,其特征在于,所述的步骤S2中的洗脱时间为20~40min,洗脱完成的标志为通过紫外-可见分光光度计无法检测到洗脱后溶液中的模板分子。