1.一种制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一，将镶嵌靶放入真空溅射室的靶位，将基片固定在真空溅射室的基片台上，向真空溅射室通入工作气体；

步骤二，在基片上溅射缓冲层；

步骤三，在缓冲层上溅射生长亚铁磁层I，基片自然冷却；

步骤四，待基片冷却至18‑28摄氏度后，在亚铁磁层I上继续溅射生长亚铁磁层II，亚铁磁层I和亚铁磁层II是含钆的稀土‑过渡合金，亚铁磁层I和亚铁磁层II的饱和磁化强度基本相当，富相相反，高磁场时，结构中两亚铁磁层的磁矩取向与外磁场近似平行一致，亚铁磁层I和亚铁磁层II的厚度均为20‑40nm，最后在基片上溅射生长保护层，即得到成品。

2.根据权利要求1所述的制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，所述基片固定在基片台前进行清洗和烘干处理。

3.根据权利要求1所述的制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，所述工作气‑5

体为高纯度氩气，真空溅射室的真空度为1×10 Pa以下。

4.根据权利要求1所述的制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，所述缓冲层为金属缓冲层，保护层为金属保护层。

5.根据权利要求4所述的制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，所述缓冲层和保护层均为钽层、钯层或者铂层中的任意一种。

6.根据权利要求1或5所述的制备人工反铁磁体复合材料的方法，其特征在于，所述缓冲层和保护层的厚度均为2‑30nm。