1.一种磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体工艺为：(1)将芳香族桥联有机硅前驱体放入含有氯磺酸的二氯甲烷溶液中进行低温磺化反应，反应完全后加入浓盐酸析出产品，得到磺酸基官能化的芳香族桥联有机硅前驱体；

(2)将步骤(1)制备的磺酸基官能化的芳香族桥联有机硅前驱体溶解于无水乙醇中，加入去离子水和盐酸水浴连续搅拌，制得磺酸基官能化的杂化硅溶胶；

(3)在膜撑体上依次涂敷并生成粒子层和过渡层，然后在过渡层表面涂敷磺酸基官能化的杂化硅溶胶，在管式炉中焙烧，制得磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜。

2.如权利要求1所述的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述的芳香族桥联有机硅前驱体为1,4-双(三乙氧基硅基)苯、4,4-双(三乙氧基硅基)联苯中的一种或两种。

3.如权利要求1所述的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：氯磺酸与芳香族桥联有机硅的摩尔比为1～1.5:1，磺化反应温度为0～30℃。

4.如权利要求1所述的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：磺酸基官能化的芳香族桥联有机硅前驱体、水、盐酸的摩尔比为1:60:0.2，水浴温度为50～60℃，搅拌时间为4～8h。

5.如权利要求1所述的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜的制备方法，其特征在于：所述的膜支撑体为管式陶瓷支撑体或片式陶瓷支撑体，焙烧温度为500～600℃。

6.如权利要求1-5任一项制备的磺酸基官能化改性的芳香族桥架有机硅杂化膜作为反渗透膜在膜分离中的应用。