1.一种对温度敏感的发光半导体材料，其特征在于：分子式为C14N4H30Cu2PbI6，属于立方晶系，Pa‑3空间群，晶胞参数为 Z＝4，晶胞体积为

2.一种如权利要求1所述对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：采用溶剂热反应合成，步骤为：以DABCO、CuI、PbI2为反应原料，DABCO为三乙烯二胺，投入到N,N‑二甲基甲酰胺、氢碘酸和甲醇的混合溶剂中得混合液，将混合液装入聚四氟乙烯内胆，再密封于反应釜中，置于干燥箱中升温反应，自然冷却至室温，过滤混合液，将过滤得到的黄色块用蒸馏水洗涤后置于真空烘箱中烘干，即可得成品。

3.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：DABCO、CuI、PbI2的摩尔比为1～1.2:2～2.3:1～1.5。

4.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：N,N‑二甲基甲酰胺、氢碘酸和甲醇的用量分别为：3～4mL、0.5～1mL、1～2mL。

5.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：反应釜置于干燥箱中反应时干燥箱温度为100‑120℃，反应时间为4‑6天。

6.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：真空烘箱中烘干温度为60摄氏度，烘干时间为5～6小时。

7.一种如权利要求1‑6任一对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：根据荧光强度与发射峰位置对温度进行非接触式检测：荧光强度随温度升高而线性降低，荧光发射峰波长随温度升高而线性增大。

8.根据权利要求7所述的对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：荧光强度随温度升高而线性降低的温度范围为：80‑220K，荧光发射峰波长随温度升高而线性增大的温度范围：80‑260K。

9.根据权利要求7所述的对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：荧光半导体在室温下发射波长为727nm的红光。