1.一种高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层，其特征在于，采用通用的弧光离子镀设备进行沉积，选用Ti靶和TiAl靶作为阴极靶材，该Ti/TiAlN多层涂层沉积于硬质合金基体表面；所述Ti/TiAlN多层涂层为层状结构，包括TiN过渡层、多个TiAlN子层和Ti子层，沉积于基体的第一层为TiN过渡层，第二层为TiAlN子层，之后为Ti子层，TiAlN子层和Ti子层相互交替叠加沉积，最外层为TiAlN子层。

2.根据权利要求1所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层，其特征在于，TiN过渡层的厚度为0.1μm，每个TiAlN子层厚度为1.5～1.7μm，每个Ti子层厚度为0.1～0.8μm，Ti/TiAlN多层涂层的总层数为14～24层中的偶数。

3.根据权利要求2所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层，其特征在于，优选的，Ti/TiAlN多层涂层的总厚度在14.4～17.1μm范围内可调。

4.根据权利要求1至3之一所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)预处理基体：将硬质合金基体放入无水乙醇和丙酮的混合溶剂中进行5～15min超声清洗，以去除表面油污、氧化膜污物；

(2)离子轰击清洗基体：将预处理好的基体装载在样品架上，放入离子镀真空腔室内，关闭室门，抽真空至真空度为8.0×10-3Pa以下后，通入氩气，维持真空度在0.3～0.5Pa，基体施加负偏压值为800～1200V，占空比为50～70％，对基体进行5～15min离子轰击清洗；

(3)沉积TiN过渡层：切断氩气，通入氮气，维持真空度气压在1.0～2.0Pa，基体脉冲负偏压值控制在500～700V，打开Ti靶电流，进行沉积，沉积时间为1～10min；

(4)交替沉积TiAlN子层和Ti子层：首先沉积TiAlN子层，关闭Ti靶电流，维持氮气气压在1.5～2.0Pa，基体负偏压值为500～600V，沉积时间为18～20min；随后沉积Ti子层，关闭TiAl靶电流，切断氮气，通入氩气，使工作气压维持在0.3～0.6Pa，基体负偏压值改为100～

200V，沉积时间控制在2～9min；TiAlN子层和Ti子层依次交替沉积；

(5)最外层TiAlN沉积：最后一层Ti子层沉积完毕后，再沉积TiAlN最外层，工艺参数与步骤(4)相同。

5.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将基体预处理之前，基体先经过SiC砂纸研磨、抛光处理。

6.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，步骤(2)至(5)中，氩气和氮气的体积纯度为99.99％。

7.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)至(5)中，Ti靶纯度为99.99wt％，TiAl靶原子比为Ti:Al＝1:1，Ti靶和TiAl靶的尺寸均为直径80～120mm、高度50～70mm，靶基距离为180～220mm；TiN过渡层中，原子比Ti:N＝1:1；TiAlN子层中，原子比Ti:Al:N＝1:1:2。

8.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)至(5)沉积过程中，靶材电流控制在60～80A，占空比稳定在15～25％。

9.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，步骤(3)至(5)沉积过程中，样品架自转，转速控制在4～6rpm。

10.根据权利要求4所述的高韧性和高硬度的厚Ti/TiAlN多层涂层的制备方法，其特征在于，整个过程中，基体不加热。