1.一种碳化硅纳米材料，其特征在于，所述碳化硅纳米材料为纳米带状结构，所述纳米带在厚度和宽度方向上均具备纳米尺度，所述纳米带平均宽度为1‑40nm，所述碳化硅纳米材料的制备方法，包括如下步骤：

1）以一氧化硅为硅源，以碳纳米管为碳源制备得到一氧化硅和碳纳米管的混合分散液，所述硅源和碳源按照硅元素与碳元素的摩尔比（0.5‑3）：1投料混合；

2）对所述分散液进行干燥，得到前驱体；

3）将所述前驱体在真空度为0.03‑0.1MPa，温度为1000‑1400℃的条件下煅烧，得到粗产物；

4）对所述粗产物进行除硅处理得到碳化硅/碳纳米管复合物，将所述碳化硅/碳纳米管复合物在空气或氧气气氛下焙烧，得到碳化硅纳米带。

2.根据权利要求1所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，所述分散液中的分散溶剂为去离子水，所述去离子水与所述一氧化硅及碳纳米管混合物的质量比为（9‑1）:1。

3.根据权利要求1所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，所述硅源和碳源按照硅元素与碳元素的摩尔比（1‑2）：1投料混合。

4.根据权利要求1所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，步骤3）的煅烧温度为1050‑

1350℃，升温速率为3‑8℃/min，煅烧时间为1‑24h。

5.根据权利要求1所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，步骤4）的除硅处理包括氢氟酸溶液浸泡洗涤或者碱溶液浸泡处理。

6.根据权利要求5所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，步骤4）的氢氟酸溶液的质量分数为10%‑40%，浸泡时间为2h‑24h。

7.根据权利要求1所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，步骤4）的碱溶液浸泡处理包含氢氧化钠或氢氧化钠热溶液浸泡洗涤。

8.根据权利要求1‑7任一所述的碳化硅纳米材料，其特征在于，步骤4）中的焙烧温度为

500‑700℃，焙烧时间为1h‑10h。