1.一种随载可变PWM控制器，包括频率信号产生电路以及主控制电路，其特征在于：所述频率信号产生电路包括移位寄存器芯片U2，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚与2号引脚之间通过导线相连接，所述移位寄存器芯片U2的1号引脚第一支路通过导线接反相器芯片U4A的输出端，第二支路通过导线接与非门芯片U1C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的9号引脚通过导线接反相器芯片U4C的输入端，所述移位寄存器芯片U2的8号引脚通过导线接与非门芯片U1A的输出端，所述与非门芯片U1A的一个输入端通过电阻R2接电源端子VCC，另一个输入端通过电阻R1接与非门芯片U1A的输出端，晶振Y1与电阻R1之间并联连接，所述晶振Y1的一端通过电容C1接地，另一端通过电容C2接地，所述与非门芯片U1B的一个输入端通过电阻R3接地，另一个输入端通过导线接反相器芯片U4C的输出端，所述与非门芯片U1B的输出端通过导线接与非门芯片U1C的一个输入端，所述与非门芯片U1C的输出端通过导线接D触发器U5的输入端，所述D触发器U5的输出端引出端子QDA，所述移位寄存器芯片U3的1号引脚通过导线接反相器芯片U4B的输出端，所述反相器芯片U4B的输入端第一支路通过导线接移位寄存器芯片U3的5号引脚，第二支路通过导线接D触发器U5的控制端，所述移位寄存器芯片U3的2号引脚通过导线接移位寄存器芯片U3的1号引脚，所述移位寄存器芯片U3的3号引脚通过导线接D触发器U6的控制端，所述移位寄存器芯片U3的4号引脚通过导线接反相器芯片U4D的输入端，所述反相器芯片U4D输出端通过导线接D触发器U7的输入端，所述移位寄存器芯片U3的8号引脚通过导线接D触发器芯片U6和U7的输入端，所述D触发器U6的输出端引出端子QDB，所述D触发器U7的输出端引出端子QDC；

所述主控制电路包括EPLD芯片U8，所述EPLD芯片U8的5号引脚通过电阻R81接反相器芯片U16F的输入端，所述反相器芯片U16F的输入端通过电容C49接地，所述反相器芯片U16F的输出端通过电阻R72接反相器芯片U16E的输入端，所述反相器芯片U16E的输入端通过电容C41接地，所述反相器芯片U16E的输出端通过导线接EPLD芯片U8的11号引脚，所述EPLD芯片U8的7号引脚通过导线接D触发器芯片U13的输出端，比较器芯片U12D的同相端引出端子IH，所述比较器芯片U12D的反相端引出端子SAWTOOTH，所述比较器芯片U12D的输出端接D触发器芯片U13的输入端，所述EPLD芯片U8的12号引脚通过导线接比较器芯片U10D的输出端，所述比较器芯片U10D的同相输入端第一支路通过电阻R26接地，第二支路通过电阻R21接电源端子VCC，所述电容C15与电阻R26之间并联连接，所述比较器芯片U10D的反相输入端第一支路通过导线接电阻R17并由电阻R17的另一端引出端子VB，第二支路通过导线接二极管D5的阴极，所述二极管D5的阳极接地，所述二极管D5的阴极第一支路通过电阻R16以及二极管D2接端子VB，第二支路通过导线接电阻R14并由电阻R14的另一端引出端子I_GD，所述二极管D5的阴极第二支路通过电阻R15以及二极管D1接端子I_GD，所述比较器芯片U10D的输出端通过电阻R30接比较器芯片U10D的反相输入端，所述电容C16与电阻R30之间并联连接。

2.根据权利要求1所述的一种随载可变PWM控制器，其特征在于：所述EPLD芯片U8的20号引脚通过电阻R153接驱动电路，所述驱动电路包括三极管Q15，所述三极管Q15的集电极通过导线分别与驱动芯片U25的2号引脚以及4号引脚相连接，所述三极管Q15的发射极接地，所述三极管Q15的基极第一支路通过电阻R146接MOS管Q11的漏极，第二支路通过导线接三极管Q12、Q13以及Q14的发射极，所述MOS管Q11的漏极通过电阻R145接电源端子VCC，所述MOS管Q11的源极接地，所述MOS管Q11的栅极引出端子DR_STOP，所述驱动芯片U25的5号引脚通过导线接二极管D45的阴极，所述驱动芯片U25的8号引脚通过导线接二极管D44的阳极，所述二极管D44的阴极接电源端子VC，所述二极管D45的阳极接地，所述二极管D44的阳极引出端子OUT4。

3.根据权利要求2所述的一种随载可变PWM控制器，其特征在于：所述驱动电路设置有四个，四个所述驱动电路分别与EPLD芯片U8的20号引脚、21号引脚、22号引脚以及23号引脚相连接，从而实现了驱动EPLD控制信号的功能。

4.根据权利要求1所述的一种随载可变PWM控制器，其特征在于：所述比较器芯片U10、比较器芯片U12的芯片型号为LM239，所述D触发器芯片U5、D触发器芯片U6、D触发器芯片U7、D触发器芯片U13的芯片型号均为74LS74，所述与非门芯片U1的芯片型号为74LS00，所述EPLD芯片型号为ATF22V10CQ。