1.双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，其中，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；

顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导；

顶层介质基片的上表面设置有两条分别与第一半模基片集成波导上表面金属层两端连接的第一微带线和第二微带线；底层介质基片的下表面设置有两条分别与第二半模基片集成波导下表面金属层两端连接的第三微带线和第四微带线；

顶层金属层上开有一排两个“工”字形槽，两个槽与金属化通孔平行，

中间层金属层上还开有一排圆孔，该排圆孔与金属化通孔平行，目相邻两个圆孔的圆心之间的间距相等。

2.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：所述顶层金属层上的一排“工”字形槽位于半模基片集成波导中心处，且槽结构中心对称。

3.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：所述顶层金属层上的一排“工”字形槽个数N≥2。

4.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于，所述中间层金属层上的一排圆孔位于半模基片集成波导的中心处。

5.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：所述中间层金属层上的一排圆孔数N≥5。

6.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：所述中间层金属层上的一排圆孔中，任意两个相邻圆孔的圆心之间间距为四分之一工作波长。

7.根据权利要求1所述的双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，其特征在于：所述第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线分别通过一个梯形微带贴片的阻抗转换结构与半模基片集成波导的金属层连接。