1.一种具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：

1)采用电化学阳极氧化法处理碳布，所选电解液是浓度为3～5mol/L磷酸二氢铵，电解电流为0.2～0.6A，随后真空干燥；

2)按1：(3～6)的摩尔比取钒源和硫源，在搅拌下将钒源和硫源加入25ml‑40ml去离子水中， 使 ‑ ‑ 钒源浓度为15～30mol/L， 得悬浊液A；

3)在悬浊液A中加入0.002～0.02g的十二烷基二甲基氧化胺搅拌均匀得溶液B；

4)将溶液B及步骤1)处理好的碳布装入高压反应釜中，然后置于反应烘箱中进行水热反应；

5)待反应结束后，将反应釜冷却至室温，产物用去离子水和乙醇交替冲洗数次后真空干燥得到具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料。

2.根据权利要求1所述的具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：所述步骤1)真空干燥温度为40～60℃，干燥时间为4～12h。

3.根据权利要求1所述的具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：所述步骤2)的钒源为乙酰丙酮钒、偏钒酸钠或十二水合钒酸钠中的一种或一种以上任意比例的混合物。

4.根据权利要求1所述的具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：所述步骤2)的硫源为硫脲、硫代乙酰胺以及硫化钠中的一种或一种以上任意比例的混合物。

5.根据权利要求1所述的具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：所述步骤4)水热反应温度为150～170℃，反应时间为18～26h。

6.根据权利要求1所述的具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法，其特征在于：所述步骤5)真空干燥温度为40～60℃，干燥时间为4～12h。