1.一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：将硅衬底依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗后，以氮气吹干，备用；

混合金属制备：分别称取金属镓与金属铟，混合后，加热至40℃搅拌融合，冷却后研磨均匀，得到混合金属粉末；

Ga2O3/In2O3纳米晶粒制备：将所述混合金属粉末放置在石英舟内，将经预处理后的硅衬底放置在所述石英舟内混合金属粉末正上方位置，然后将石英舟置于真空管式炉的石英管中心，盖上密闭盖，抽真空后通入氩气，以6～12℃/min的速率升温至第一阶段温度后，通入混合气体，保温1h后，继续按6～12℃/min的速率升温至第二阶段温度，保温1h反应完成，随炉冷却后取出石英舟，将所得产物经去离子水洗涤后置于60℃的烘箱中烘干，得到核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒；所述混合气体为氩气和氧气的混合气体；所述第一阶段温度为850～950℃；所述第二阶段温度为1050～1150℃。

2.根据权利要求1所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3 纳米晶粒的制备方法，其特征在于，所述金属镓与金属铟的摩尔比为7:3。

3.根据权利要求2所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法，其特征在于，所述硅衬底与混合金属粉末之间的距离为1～1.5cm。

4.根据权利要求3所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法，其特征在于，所述混合气体的制备方法如下：将氩气以90sccm的通入速度通入混气设备中，同时将氧气以70～80sccm的通入速度通入混气设备中，经过混气设备混合之后得到混合气体。