1.一种图像传感器，其包括半导体衬底、光电二极管及反射层，所述半导体衬底包括相背设置的上表面及下表面，所述光电二极管形成在所述半导体衬底内部位于所述上表面的一侧，所述光电二极管接收被一目标物反射进来的成像光线并将所接收的成像光线转换成电信号，所述反射层设置在成像光线经过所述光电二极管后的传播路径上，用于将穿过所述光电二极管而未被转换成电信号的成像光线反射回所述光电二极管。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括用于隔离相邻光电二极管的隔离结构，所述隔离结构包括形成在所述半导体衬底内部且围绕每个光电二极管设置的沟槽。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构沿其自身延伸方向的横截面为倒三角形，且所述倒三角形的内部宽度从所述上表面至所述下表面逐渐减少。

4.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构沿其自身延伸方向的横截面为长方形。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述长方形的纵横比大于等于10比1，且小于等于100比1。

6.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构沿其自身延伸方向的横截面为倒置的梯形。

7.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构的沟槽自上表面向下表面进行延伸，并延伸至与下表面接触。

8.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽内设置有填充材料，所述填充材料为介电材料。

9.如权利要求2-8任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构的内表面上设置有反射层。

10.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射层设置在所述下表面上并朝向所述光电二极管。

11.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括一个支撑结构，所述支撑结构设置在整个半导体衬底的下表面所在的一侧，用于提高所述图像传感器的机械强度。

12.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述反射层材料为反射红外或近红外光的材料。

13.一种身份识别装置，其包括镜头组件、光源模组、识别模组及上述权利要求1-12中任一项所述的图像传感器，所述光源模组用于发射成像光线，所述图像传感器用于通过所述镜头组件接收被一目标物反射的成像光线，以感测所述目标物的图像，所述识别模组用于根据所述图像传感器所获取的图像进行身份识别。

14.如权利要求13所述的身份识别装置，其特征在于，所述图像传感器获取目标物的脸部图像，所述识别模组为脸部识别模组，所述脸部识别模组用于根据脸部图像对目标物的身份进行识别，所述身份识别装置为脸部识别装置。

15.一种设备，其包括上述权利要求13或14任一项所述的身份识别装置，所述设备用于根据所述身份识别装置的识别结果来执行相应的功能。

16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，所述相应的功能包括解锁、支付、启动预存的应用程序中的任意一种或几种。