1.一种具有图案化表面的硅结构，其特征在于，包括：硅基底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

多种硅微结构，所述多种硅微结构具有不同的反射率，每种所述硅微结构包括多个反射率相同的硅微单元，每个所述硅微单元均设置在所述硅基底上，并从所述硅基底的所述第一表面向靠近所述第二表面的方向刻蚀预定深度；其中每种所述硅微结构的数量以及所有所述硅微单元在所述硅基底上的排布方式均根据一预设图案来确定，使所有所述硅微单元共同组成的图案在视觉上与所述预设图案保持一致。

2.根据权利要求1所述的硅结构，其特征在于，所述多种硅微结构中的各硅微单元形状相同；并且

同种所述硅微结构中的各硅微单元尺寸相同，不同种所述硅微结构中的各硅微单元尺寸不同。

3.根据权利要求2所述的硅结构，其特征在于，所述多种硅微结构中的各硅微单元的形状为倒金字塔形。

4.根据权利要求1所述的硅结构，其特征在于，所述硅基底为单晶硅或多晶硅基底。

5.根据权利要求4所述的硅结构，其特征在于，所述硅基底为(100)晶面抛光的单晶硅片。

6.一种具有图案化表面的硅结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一掩模板基材，在所述掩模板基材上刻蚀出与一预设图案对应的多个开口，使所述多个开口按照所述预设图案排列出对应的图形，从而制备获得光刻掩模板；

提供一硅基底，并在所述硅基底上施加光刻胶，在所述光刻掩模板的遮挡下曝光并显影，以在所述光刻胶上获得所述图形；

利用干法刻蚀的方法在所述硅基底的氧化层上刻蚀出所述图形，形成氧化硅刻蚀模板；

利用所述氧化硅刻蚀模板通过湿法刻蚀的方法在所述硅基底上按照所述图形向所述硅基底内部刻蚀，以在所述硅基底上形成在视觉上与所述预设图案保持一致的图案，从而制备获得所述硅结构。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述掩模板基材上刻蚀出与一预设图案对应的多个开口，包括：选择一预设图案，所述预设图案由多个像素点组成，每个所述像素点对应一灰度值；

根据所述多个像素点的位置确定所述掩模板基材上对应的多个待刻蚀区的位置，使所述多个待刻蚀区的位置与所述多个像素点的位置相对应，并根据每个所述像素点的灰度值确定对应的待刻蚀区的开口尺寸；

根据所述多个待刻蚀区的位置及对应的开口尺寸在所述掩模板基材上刻蚀出与所述预设图案对应的多个开口。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，利用干法刻蚀的方法在所述硅基底的氧化层上刻蚀出所述图形时，所述干法刻蚀所用的气体为含氟气体与氩气、氧气、氮气或氦气的组合。

9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，利用所述氧化硅刻蚀模板通过湿法刻蚀的方法在所述硅基底上按照所述图形向所述硅基底内部刻蚀时，所述湿法刻蚀所用的刻蚀液为碱性溶液，所用溶质为碱性溶质。

10.一种太阳能电池，其特征在于，具有如权利要求1‑5中任一项所述的具有图案化表面的硅结构。