1.一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上利用等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积方法制备的金属纳米颗粒尺寸在1纳米到500纳米之间。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，金属纳米颗粒为锗纳米颗粒。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积方法使用的前躯体气体包括锗烷和氢气。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积金属纳米颗的沉积温度200-300℃。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积使用直流电源或交流电源，使用交流电源时，其频率在100Hz–100MHz之间。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积方法制备金属纳米颗粒时包括如下的步骤：步骤1，在锗烷和氢气气氛下沉积锗纳米颗粒；

步骤2，保持与步骤1相同的沉积功率，在氢气气氛中，通过氢等离子体对锗纳米颗粒进行表面修饰。

8.根据权利要求7所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，表面修饰形成纳米尺度质构。

9.一种晶体硅系太阳能电池，其特征在于，晶体硅系太阳能电池的表面为由权利要求

1-8中所述的任意一种方法制备得到的纳米复合结构。