1.一种双功能的钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：

（1）将钴盐溶于去离子水中，利用电化学沉积方法在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状氧化钴阵列原位电极，电化学沉积方法中的电压为‑0.9 ‑1.2 V，时间为90 360s，电化学沉积后用水反复清洗，干燥后在惰性气氛~ ~

下300‑500℃反应25‑35min即得到多孔、片状氧化钴阵列原位电极；

（2）将Tx‑100和双氰胺溶于N,N‑二甲基甲酰胺溶液得到前驱体溶液；将步骤（1）的多孔、片状氧化钴阵列原位电极浸泡前驱体后再于热台上干燥后，再次将前驱体溶液滴涂在步骤（1）的多孔、片状氧化钴阵列原位电极上，再次干燥后，于管式炉中，惰性气氛下，500‑

700℃下反应1‑3h，即可得到氧化钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极，曲拉通Tx‑100与溶剂的体积比为0.1 0.35，双氰胺的浓度为1000 2000 mM。

~ ~

2.根据权利要求1 所述的双功能的钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

3.根据权利要求1 所述的双功能的钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述的钴盐为六水合硝酸钴，六水合硝酸钴溶液的浓度为50 200mM。

~

4.根据权利要求1 所述的双功能的钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，电化学沉积方法中的电压为‑1.0 V，时间为180 s；电化学沉积后用水反复清洗，干燥后在惰性气氛下400℃反应30min即得到多孔、片状氧化钴阵列原位电极。

5.根据权利要求1所述的双功能的钴与氮、氧掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，将干燥后的多孔、片状氧化钴阵列原位电极在Ar气或N2气中600℃退火反应2h。